[发明专利]被加工物的保持机构和加工装置在审
申请号: | 202110527385.7 | 申请日: | 2021-05-14 |
公开(公告)号: | CN113707592A | 公开(公告)日: | 2021-11-26 |
发明(设计)人: | 福冈武臣 | 申请(专利权)人: | 株式会社迪思科 |
主分类号: | H01L21/683 | 分类号: | H01L21/683 |
代理公司: | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人: | 于靖帅;乔婉 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 本发明提供被加工物的保持机构和加工装置,能够实现被加工物的适当的保持和简单的取下。被加工物的保持机构具有:保持基台,其具有保持面,该保持面的形状和大小与含有示出强磁性的材料的被加工物对应;磁铁,其设置于保持基台的保持面,在磁铁与被加工物之间产生引力;以及释放构件,其对通过与磁铁之间所产生的引力而被保持于保持基台的保持面侧的被加工物施加从保持面离开的方向的力,释放构件具有:盖片,其覆盖保持面;以及流体提供部,其向保持面与盖片之间提供流体,在盖片的与保持面相反的一侧的面上,设置有抑制盖片对被加工物的吸附的凹凸构造或者含有促进被加工物从盖片剥离的剥离促进剂的层。 | ||
搜索关键词: | 加工 保持 机构 装置 | ||
【主权项】:
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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