[发明专利]功率半导体器件有效
| 申请号： | 202110526994.0 | 申请日： | 2021-05-14 |
| 公开（公告）号： | CN113192925B | 公开（公告）日： | 2023-07-04 |
| 发明（设计）人： | 陈超;张海泉;麻长胜;王晓宝;赵善麒 | 申请（专利权）人： | 江苏宏微科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/498 | 分类号： | H01L23/498;H01L25/07 |
| 代理公司： | 常州佰业腾飞专利代理事务所(普通合伙) 32231 | 代理人： | 陈红桥 |
| 地址： | 213022 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种功率半导体器件，包括：覆金属绝缘陶瓷衬底，上层和下层分别为第一导电金属层和第二导电金属层，中间层为陶瓷层，第一导电金属层上设置有上桥臂单元和下桥臂单元；多个SiC MOSFET芯片，焊接在第一导电金属层，其中，上桥臂单元上配置的SiC MOSFET芯片的数量与下桥臂单元上配置的SiC MOSFET芯片的数量相同；第一功率金属箔片，内部设置有第一信号金属箔片，下桥臂单元上配置的SiC MOSFET芯片的栅极信号的第一金属线均汇集在第一信号金属箔片内，并且紧密排布；第二功率金属箔片，内部设置有第二信号金属箔片，上桥臂单元上配置的SiC MOSFET芯片的栅极信号的第二金属线均汇集在第二信号金属箔片内，并且紧密排布。由此，能够使得内部驱动回路杂散参数一致。 | ||
| 搜索关键词： | 功率 半导体器件 | ||
【主权项】：
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