[发明专利]具有电容在晶体管上方的存储单元结构

摘要

本发明公开了一种存储单元结构。所述存储单元结构包含一硅基板，一晶体管，一位线，和一电容。所述硅基板具有一硅表面。所述晶体管耦接所述硅表面，其中所述晶体管包含一栅极结构、一第一导通区以及一第二导通区。所述位线电耦接所述晶体管的第一导通区以及位在所述硅表面下方。所述电容位在所述晶体管上方以及电耦接所述晶体管的第二导通区。因此，相较于现有技术所述存储单元结构具有更致密的结构，较小的面积，较低的漏电流，较高的电容值等优点。