[发明专利]存储器件以及形成存储器件的方法在审
申请号: | 202110523023.0 | 申请日: | 2021-05-13 |
公开(公告)号: | CN113675231A | 公开(公告)日: | 2021-11-19 |
发明(设计)人: | 谢君毅;徐薇惠;蒋懿;易万兵;陈元文 | 申请(专利权)人: | 格芯新加坡私人有限公司 |
主分类号: | H01L27/24 | 分类号: | H01L27/24 |
代理公司: | 北京市中咨律师事务所 11247 | 代理人: | 贺月娇;于静 |
地址: | 新加坡*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 本发明涉及存储器件以及形成存储器件的方法。提供了一种存储器件,包括基底层、绝缘层、第一电极、开关元件、帽盖元件和第二电极。绝缘层可以布置在基底层上方并且可以包括具有相对的侧壁的凹槽。第一电极可以至少部分地布置在绝缘层的凹槽内并沿着绝缘层的凹槽的相对的侧壁。开关元件可以至少部分地布置在绝缘层的凹槽内并沿着第一电极。帽盖元件和第二电极可以至少部分地布置在绝缘层的凹槽内。帽盖元件可以布置在第二电极和开关元件之间,并且第二电极的一部分可以跨帽盖元件延伸以接触开关元件。 | ||
搜索关键词: | 存储 器件 以及 形成 方法 | ||
【主权项】:
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
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