[发明专利]存储器件以及形成存储器件的方法在审

专利信息
申请号: 202110523023.0 申请日: 2021-05-13
公开(公告)号: CN113675231A 公开(公告)日: 2021-11-19
发明(设计)人: 谢君毅;徐薇惠;蒋懿;易万兵;陈元文 申请(专利权)人: 格芯新加坡私人有限公司
主分类号: H01L27/24 分类号: H01L27/24
代理公司: 北京市中咨律师事务所 11247 代理人: 贺月娇;于静
地址: 新加坡*** 国省代码: 暂无信息
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摘要: 发明涉及存储器件以及形成存储器件的方法。提供了一种存储器件,包括基底层、绝缘层、第一电极、开关元件、帽盖元件和第二电极。绝缘层可以布置在基底层上方并且可以包括具有相对的侧壁的凹槽。第一电极可以至少部分地布置在绝缘层的凹槽内并沿着绝缘层的凹槽的相对的侧壁。开关元件可以至少部分地布置在绝缘层的凹槽内并沿着第一电极。帽盖元件和第二电极可以至少部分地布置在绝缘层的凹槽内。帽盖元件可以布置在第二电极和开关元件之间,并且第二电极的一部分可以跨帽盖元件延伸以接触开关元件。
搜索关键词: 存储 器件 以及 形成 方法
【主权项】:
暂无信息
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