[发明专利]存储器件以及形成存储器件的方法

权利要求书

1.一种存储器件，包括：

基底层；

绝缘层，其布置在所述基底层上方，其中所述绝缘层包括具有相对的侧壁的凹槽；

第一电极，其至少部分地布置在所述绝缘层的所述凹槽内并沿着所述绝缘层的所述凹槽的所述相对的侧壁；

开关元件，其至少部分地布置在所述绝缘层的所述凹槽内并沿着所述第一电极；

帽盖元件，其至少部分地布置在所述绝缘层的所述凹槽内；以及

第二电极，其至少部分地布置在所述绝缘层的所述凹槽内，其中所述帽盖元件布置在所述第二电极和所述开关元件之间，并且所述第二电极的一部分跨所述帽盖元件延伸以接触所述开关元件。

2.根据权利要求1所述的存储器件，其中，所述第一电极、所述开关元件和所述帽盖元件中的每一者完全布置在所述凹槽内。

3.根据权利要求1所述的存储器件，其中所述第二电极的所述一部分在所述帽盖元件上方延伸以接触所述开关元件。

4.根据权利要求1所述的存储器件，其中，所述帽盖元件的基底面、所述开关元件的基底面和所述第一电极的基底面横向对齐。

5.根据权利要求1所述的存储器件，其中，所述第二元件的所述一部分在所述帽盖元件下方延伸以接触所述开关元件。

6.根据权利要求1所述的存储器件，其中，所述帽盖元件的顶面、所述开关元件的顶面和所述第一电极的顶面横向对齐。

7.根据权利要求1所述的存储器件，其中，所述帽盖元件的高度小于所述开关元件的高度。

8.根据权利要求1所述的存储器件，其中，所述帽盖元件沿着所述开关元件的一部分布置，并且其中，所述开关元件包括与所述帽盖元件邻接的被覆盖区域和与所述第二电极邻接的暴露区域。

9.根据权利要求8所述的存储器件，其中，所述第二电极包括沿着所述开关元件的所述暴露区域并且进一步沿着所述帽盖元件布置的衬里。

10.根据权利要求8所述的存储器件，其中，所述开关元件的所述暴露区域的高度大于或等于10nm。

11.根据权利要求1所述的存储器件，其中，所述帽盖元件包括相对于所述开关元件具有大于5的蚀刻选择性的帽盖材料。

12.根据权利要求1所述的存储器件，其中，所述绝缘层的所述凹槽的所述相对的侧壁包括第一侧壁和第二侧壁，其中，所述帽盖元件包括更靠近所述第一侧壁的第一区段和更靠近所述第二侧壁的第二区段，并且其中，所述帽盖元件的所述第一区段和所述第二区段彼此分离。

13.根据权利要求12所述的存储器件，其中，所述帽盖元件的所述第一区段和所述第二区段中的每一者为连续区段。

14.根据权利要求1所述的存储器件，其中，所述第一电极是惰性电极，所述第二电极是活性电极。

15.根据权利要求1所述的存储器件，其中，所述存储器件进一步包括沿着所述第二电极布置在所述第二电极上方的导电层。

16.根据权利要求1所述的存储器件，其中，所述存储器件进一步包括布置在所述绝缘层和所述基底层之间的第一阻挡层，并且其中，所述第二电极延伸到所述第一阻挡层中。

17.根据权利要求16所述的存储器件，其中，所述存储器件包括布置在所述绝缘层上方的另外的绝缘层，以及位于所述绝缘层和所述另外的绝缘层之间的第二阻挡层。

18.根据权利要求1所述的存储器件，其中，所述存储器件包括电阻式随机存取存储器件。