[发明专利]MRAM器件和制造这种MRAM器件的方法在审
| 申请号： | 202110521636.0 | 申请日： | 2021-05-13 |
| 公开（公告）号： | CN113675333A | 公开（公告）日： | 2021-11-19 |
| 发明（设计）人： | H·迪克西特;V·B·奈克 | 申请（专利权）人： | 格芯（美国）集成电路科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L43/08 | 分类号： | H01L43/08;H01L43/02;H01L43/10;H01L43/12;G11C11/16 |
| 代理公司： | 北京市中咨律师事务所 11247 | 代理人： | 林莹莹;于静 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本公开涉及一种MRAM器件和制造这种MRAM器件的方法。本文公开的一个示例性MRAM基元包括底部电极、位于底部电极上方的顶部电极、以及位于底部电极上方并位于顶部电极下方的MTJ(磁隧道结)元件。在该示例中，MTJ元件包括位于底部电极上方的底部绝缘层、位于底部电极上方的顶部绝缘层、以及位于底部绝缘层与顶部绝缘层之间的第一铁磁材料层。 | ||
| 搜索关键词： | mram 器件 制造 这种 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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