[发明专利]非极性AlGaN基紫外LED外延片及制备方法在审
| 申请号： | 202110509475.3 | 申请日： | 2021-05-10 |
| 公开（公告）号： | CN113257969A | 公开（公告）日： | 2021-08-13 |
| 发明（设计）人： | 朱刘;宋世金;狄聚青;刘浩飞;张新勇;苑汇帛;汤惠淋 | 申请（专利权）人： | 广东先导稀材股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/16 | 分类号： | H01L33/16;H01L33/06;H01L33/14;H01L33/32;H01L33/00 |
| 代理公司： | 北京五洲洋和知识产权代理事务所(普通合伙) 11387 | 代理人： | 张向琨 |
| 地址： | 511500 广东省清*** | 国省代码： | 广东;44 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 本公开提供一种非极性AlGaN基紫外LED外延片及制备方法，其外延片结构包括：生长碳化硅衬底上的低温AlN层、生长在所述低温AlN层上的高温AlN层、生长在所述高温AlN层上的低温a面AlGaN层、生长在所述低温a面AlGaN层上的高温非掺杂a面AlGaN层、生长在所述高温非掺杂a面AlGaN层上的n型掺杂a面AlGaN层、生长在所述n型掺杂a面AlGaN层上的a面AlGaN多量子阱层、生长在所述a面AlGaN多量子阱层上的电子阻挡层、生长在所述电子阻挡层上的p型掺杂AlGaN层、生长在所述p型掺杂AlGaN层上的p型掺杂GaN层。本公开的碳化硅衬底上非极性AlGaN基紫外LED外延片缺陷密度低、结晶质量好，电学、光学性能佳，能有效减少位错形成，提高了载流子辐射复合效率，制备出高导热、高导电、高发光性能紫外LED。 | ||
| 搜索关键词： | 极性 algan 紫外 led 外延 制备 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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