[发明专利]半导体器件的集成制造方法在审
| 申请号： | 202110508218.8 | 申请日： | 2021-05-11 |
| 公开（公告）号： | CN113394214A | 公开（公告）日： | 2021-09-14 |
| 发明（设计）人： | 翁文寅 | 申请（专利权）人： | 上海华力集成电路制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/088 | 分类号： | H01L27/088;H01L21/336 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 郭四华 |
| 地址： | 201203 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种半导体器件的集成制造方法，形成m种厚度的第一类金属功函数层的步骤包括：步骤一、从底部到顶部将厚度最厚的第一类金属功函数层分成第一个、第二个直至第m个第一类金属功函数子层；步骤二、进行m次循环工艺，每一次循环工艺中包括一次金属功函数全面沉积工艺和一次金属功函数选择性刻蚀工艺；循环工艺设置为：各次金属功函数全面沉积工艺依次形成第一至第m个第一类金属功函数子层；各次金属功函数选择性刻蚀工艺的刻蚀区域依次缩小以保证每次金属功函数选择性刻蚀工艺都仅对一个单独的第一类金属功函数子层进行刻蚀。本发明能避免在较厚的第一类金属功函数层的底部产生下切，从而能使金属功函数边界效应最优化。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 集成 制造 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
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