[发明专利]一种中波、长波红外透明导电薄膜材料及其制备方法有效
申请号: | 202110494684.5 | 申请日: | 2021-05-07 |
公开(公告)号: | CN113517359B | 公开(公告)日: | 2022-02-11 |
发明(设计)人: | 杨长;耿方娟 | 申请(专利权)人: | 华东师范大学 |
主分类号: | H01L31/0224 | 分类号: | H01L31/0224;H01L31/09;H01L31/101 |
代理公司: | 上海蓝迪专利商标事务所(普通合伙) 31215 | 代理人: | 徐筱梅;张翔 |
地址: | 200241 *** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | 本发明公开了一种中波、长波红外透明导电薄膜材料及其制备方法,属于红外光学材料领域及电子材料领域。本发明是为解决现有红外透明导电技术在中波和长波波段内难以兼顾导电性和红外透明性的问题。本发明以无机p型卤化物半导体碘化铜为原料,其分子式为CuI。采用化学方法合成薄膜,并对其进行元素掺杂以调控薄膜的透明性和导电性。所制备的掺杂CuI薄膜不仅具有高电导率和载流子迁移率,还在可见光‑近红外‑中红外‑远红外波长区间均具有高透明性,且透过波段范围连续可调。本发明制备技术易于操作,成本低廉,易于大面积成膜,适合产业化生产。 | ||
搜索关键词: | 一种 中波 长波 红外 透明 导电 薄膜 材料 及其 制备 方法 | ||
【主权项】:
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的