[发明专利]含镉量子点及其制备方法及其应用有效
| 申请号： | 202110489233.2 | 申请日： | 2021-05-06 |
| 公开（公告）号： | CN115305089B | 公开（公告）日： | 2023-10-27 |
| 发明（设计）人： | 乔培胜;周鑫;汪均;周健海 | 申请（专利权）人： | 纳晶科技股份有限公司 |
| 主分类号： | C09K11/88 | 分类号： | C09K11/88;B82Y20/00;B82Y30/00;B82Y40/00;G09F9/30;H01L27/15;H01L33/04;H01L33/06;H10K59/10;H10K50/115 |
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| 地址： | 310052 浙江省杭州*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： |
本公开提供了一种含镉量子点及其制备方法及其应用。含镉量子点包括第一半导体材料的核，以及设置在核上的第二半导体材料的壳，其中含镉量子点包括镉、锌、硒和硫，核包括CdSe，壳包括第一壳和设置在第一壳上的第二壳，第一壳包括CdZnSe，第二壳包括ZnS，第一壳中的各个元素分布均匀，含镉量子点还包括金属元素，金属元素包括IA元素、IIA元素中的一种或多种，还包括IIIA元素、IVA元素中的一种或多种；含镉量子点的紫外可见吸收光谱具有第一吸收峰，第一吸收峰的吸收度为I |
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| 搜索关键词： | 量子 及其 制备 方法 应用 | ||
【主权项】：
暂无信息
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