[发明专利]含镉量子点及其制备方法及其应用

权利要求书

1.一种含镉量子点，其特征在于，包括第一半导体材料的核，以及设置在所述核上的第二半导体材料的壳，其中所述含镉量子点包括镉、锌、硒和硫，所述核包括CdSe，所述壳包括第一壳和设置在所述第一壳上的第二壳，所述第一壳包括CdZnSe，所述第二壳包括ZnS，所述第一壳中的各个元素分布均匀，所述含镉量子点还包括金属元素，所述金属元素包括IA元素、IIA元素中的一种或多种，还包括IIIA元素、IVA元素中的一种或多种；所述含镉量子点的紫外可见吸收光谱具有第一吸收峰，所述第一吸收峰的吸收度为I_ab，所述含镉量子点的紫外可见吸收光谱450nm处的吸收度为I₄₅₀，I₄₅₀/I_ab大于等于10，所述含镉量子点的荧光发射峰的半峰全宽小于等于20nm。

2.根据权利要求1所述的含镉量子点，其特征在于，所述含镉量子点为闪锌矿量子点，所述核的平均尺寸为3～5nm。

3.根据权利要求1所述的含镉量子点，其特征在于，所述含镉量子点的平均尺寸为15～25nm。

4.根据权利要求1所述的含镉量子点，其特征在于，所述第一壳的厚度为4～6nm，所述第二壳的厚度为2～4nm。

5.根据权利要求1所述的含镉量子点，其特征在于，所述含镉量子点的荧光发射峰位为600～650nm。

6.根据权利要求1所述的含镉量子点，其特征在于，所述含镉量子点的荧光发射峰的半峰全宽小于等于16nm，量子产率大于等于80％。

7.根据权利要求1所述的含镉量子点，其特征在于，所述含镉量子点中，所述锌相对于所述镉的摩尔比大于等于10:1。

8.根据权利要求1所述的含镉量子点，其特征在于，所述含镉量子点中，所述锌相对于所述硒的摩尔比1:1～5:1，所述锌相对于所述硫的摩尔比1:1～5:1。

9.根据权利要求1所述的含镉量子点，其特征在于，所述含镉量子点的第一吸收峰位为590～640nm，所述含镉量子点的第一吸收峰的半半峰宽小于等于18nm。

10.根据权利要求1所述的含镉量子点，其特征在于，所述金属元素相对于所述锌的摩尔比为0.02:1～1:1。

11.根据权利要求1所述的含镉量子点，其特征在于，所述含镉量子点包括第一金属元素和第二金属元素，所述第一金属元素位于所述第一壳，所述第一金属元素选自IA元素、IIA元素中的至少一种，所述第二金属元素位于所述第二壳，所述第二金属元素选自IIIA元素、IVA元素中的至少一种。

12.根据权利要求1所述的含镉量子点，其特征在于，所述含镉量子点包含多颗量子点，至少一个单颗所述含镉量子点的荧光半峰全宽小于等于10nm。

13.一种光致发光器件，其特征在于，包括权利要求1～12所述的任意一种含镉量子点。

14.根据权利要求13所述的光致发光器件，其特征在于，所述光致发光器件的半峰全宽小于等于20nm。

15.根据权利要求13所述的光致发光器件，所述光致发光器件为量子点膜，其特征在于，所述量子点膜在1W/cm²强度的450nm峰值波长的蓝光连续照射1000h后，所述量子点膜的量子效率下降小于等于5％。

16.一种组合物，其特征在于，包括权利要求1～12所述的任意一种含镉量子点。

17.一种显示装置，其特征在于，包括权利要求1～12所述的任意一种含镉量子点。

18.一种如权利要求1～12任一项所述的含镉量子点的制备方法，其特征在于，包括S1，准备含第一半导体材料核的有机溶液；S2，将所述含核的有机溶液、第一金属前体、第一壳前体和第一有机配体混合并加热，在所述核表面包覆第一壳后得到中间态量子点；将所述中间态量子点、第二金属前体，第二壳前体和第二有机配体混合并加热，在所述第一壳表面包覆第二壳，得到所述含镉量子点；所述第一金属前体中的第一金属元素选自IA元素、IIA元素中的至少一种，所述第二金属前体中的第二金属元素选自IIIA元素、IVA元素中的至少一种。