[发明专利]一种高耐压平面型VDMOS的结构及其制作工艺在审
| 申请号： | 202110486086.3 | 申请日： | 2021-04-30 |
| 公开（公告）号： | CN113054032A | 公开（公告）日： | 2021-06-29 |
| 发明（设计）人： | 莫宏康;王光磊;王博;付航军;陈侃;陆超;李治妮;王宏;谈林乖;时功权 | 申请（专利权）人： | 中国振华集团永光电子有限公司（国营第八七三厂） |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/06;H01L29/36;H01L21/336 |
| 代理公司： | 贵州派腾知识产权代理有限公司 52114 | 代理人： | 汪劲松 |
| 地址： | 550018 贵州省*** | 国省代码： | 贵州;52 |
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| 摘要： | 本发明提供的一种高耐压平面型VDMOS的结构及其制作工艺；包括硅衬底，所述硅衬底上制作有JFET结区，JFET结区上部两端对称制作有两个P+掺杂硅层，两个P+掺杂硅层上均制作有N+掺杂硅层,JFET结区的顶端中部制作有多晶硅层,所有N+掺杂硅层、P+掺杂硅层、JFET结区的上端面通过多晶硅层连接，多晶硅层的上端及N+掺杂硅层的相邻于多晶硅层的部分上端通过钝化层封闭，钝化层上端及N+掺杂硅层和P+掺杂硅层上端露出部分通过铝层封闭,所述P+掺杂硅层和JFET结区之间制作有Pbase区。本发明通过不同的掺杂层实现工作电压在200V以上的VDMOS器件制作，并且工艺成熟，制作后的VDMOS器件质量稳定。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 耐压 平面 vdmos 结构 及其 制作 工艺 | ||
【主权项】：
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