[发明专利]一种高耐压平面型VDMOS的结构及其制作工艺在审

申请号：	202110486086.3	申请日：	2021-04-30
公开（公告）号：	CN113054032A	公开（公告）日：	2021-06-29
发明（设计）人：	莫宏康;王光磊;王博;付航军;陈侃;陆超;李治妮;王宏;谈林乖;时功权	申请（专利权）人：	中国振华集团永光电子有限公司（国营第八七三厂）
主分类号：	H01L29/78	分类号：	H01L29/78;H01L29/06;H01L29/36;H01L21/336
代理公司：	贵州派腾知识产权代理有限公司 52114	代理人：	汪劲松
地址：	550018 贵州省***	国省代码：	贵州;52
权利要求书：	查看更多	说明书：	查看更多
摘要：
搜索关键词：	一种耐压平面 vdmos 结构及其制作工艺
钻瓜网技术展会专利词库专利权人专利榜在售专利公布日期热门专利

【说明书】：

本发明提供的一种高耐压平面型VDMOS的结构及其制作工艺；包括硅衬底，所述硅衬底上制作有JFET结区，JFET结区上部两端对称制作有两个P+掺杂硅层，两个P+掺杂硅层上均制作有N+掺杂硅层,JFET结区的顶端中部制作有多晶硅层,所有N+掺杂硅层、P+掺杂硅层、JFET结区的上端面通过多晶硅层连接，多晶硅层的上端及N+掺杂硅层的相邻于多晶硅层的部分上端通过钝化层封闭，钝化层上端及N+掺杂硅层和P+掺杂硅层上端露出部分通过铝层封闭,所述P+掺杂硅层和JFET结区之间制作有Pbase区。本发明通过不同的掺杂层实现工作电压在200V以上的VDMOS器件制作，并且工艺成熟，制作后的VDMOS器件质量稳定。

技术领域

本发明涉及一种高耐压平面型VDMOS的结构及其制作工艺。

背景技术

现有的VDMOS器件是使用化合物半导体材料制作的槽栅型VDMOS，由于化合物半导体材料目前工艺不成熟，想要实现极其复杂，例如公开号为CN 104851915 B的槽栅型VDMOS器件利用化合物半导体材料制作，但其工作电压低，只能在100V左右。

发明内容

为解决上述技术问题，本发明提供了一种高耐压平面型VDMOS的结构及其制作工艺。

本发明通过以下技术方案得以实现。

所述N+掺杂硅层的掺杂浓度为1E20次方。

所述P+掺杂硅层和硅衬底的掺杂浓度为1E16次方。

所述Pbase区掺杂浓度为1E13次方。

1在硅衬底上先场氧生长一层8000-15000A的氧硅；

2进行环形光刻去除硅衬底上端面的氧化层；