[发明专利]栅极结构及其制造方法在审
| 申请号： | 202110483826.8 | 申请日： | 2021-04-30 |
| 公开（公告）号： | CN115274834A | 公开（公告）日： | 2022-11-01 |
| 发明（设计）人： | 张书浩;李宁 | 申请（专利权）人： | 长鑫存储技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/423 | 分类号： | H01L29/423;H01L29/40 |
| 代理公司： | 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 | 代理人： | 朱颖;刘芳 |
| 地址： | 230011 安徽省合肥*** | 国省代码： | 安徽;34 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 本申请提供一种栅极结构及其制造方法，通过功函数厚度依靠的原子晶体实现栅极结构中的栅极材料层，使得MOS管中的栅极结构通过形成不同厚度的原子晶体层即可实现功函数的调节，从而降低了MOS管的栅极结构的复杂度，简化制造过程中的生产工艺。 | ||
| 搜索关键词： | 栅极 结构 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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