[发明专利]一种肖特基二极管及其制作方法和芯片在审
| 申请号： | 202110479822.2 | 申请日： | 2021-04-30 |
| 公开（公告）号： | CN113257893A | 公开（公告）日： | 2021-08-13 |
| 发明（设计）人： | 张汝康;鲁艳春 | 申请（专利权）人： | 北海惠科半导体科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/872;H01L21/331 |
| 代理公司： | 深圳市百瑞专利商标事务所(普通合伙) 44240 | 代理人： | 邢涛 |
| 地址： | 536000 广西壮族自治区北海市工业园区北*** | 国省代码： | 广西;45 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 本发明公开了一种肖特基二极管及其制作方法和芯片，肖特基二极管包括衬底、势垒层、二氧化硅层、阻挡层、缓冲层和电极层，所述势垒层设置在所述衬底的表面，由金属硅化物材料构成；所述二氧化硅层设置在所述衬底上，位于所述势垒层的两侧；所述阻挡层设置在所述二氧化硅层和势垒层上，由TaN材料构成；所述缓冲层设置在所述阻挡层上，由Ta材料构成；所述电极层设置在所述缓冲层上。通过在势垒层和电极之间设置由TaN材料构成的阻挡层和由Ta材料构成缓冲层，使得在高温条件下，不易形成势垒层和电极层之间的扩散通道，防止势垒层和电极层之间的粒子扩散，避免影响势垒高度并导致电极电阻升高的问题。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 肖特基 二极管 及其 制作方法 芯片 | ||
【主权项】：
暂无信息
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