[发明专利]功率器件制造过程中去除多晶硅残留的方法及其功率器件有效
| 申请号： | 202110467587.7 | 申请日： | 2021-04-28 |
| 公开（公告）号： | CN113223933B | 公开（公告）日： | 2023-03-24 |
| 发明（设计）人： | 刘秀勇;陈正嵘;李志国;钱佳成;陈思彤 | 申请（专利权）人： | 华虹半导体（无锡）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 郭立 |
| 地址： | 214028 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种功率器件制造过程中去除多晶硅残留的方法，在半导体衬底中形成沟槽；通过多次填充和多次刻蚀分别形成源多晶硅层和栅多晶硅层，在所述源多晶硅层和所述栅多晶硅层表面之间存在多晶硅残留；在层间电介质层淀积步骤前进行氧化工艺步骤，将所述多晶硅残留氧化成不导电的二氧化硅。与现有技术相比，本发明可以方便得消除小于0.2um，并且通过常规的清洁手段极难去除的多晶硅残留的导电性，提高产品良率及可靠性。 | ||
| 搜索关键词： | 功率 器件 制造 过程 去除 多晶 残留 方法 及其 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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