[发明专利]一种用于台面大功率半导体器件多层复合膜钝化结构的装置有效
| 申请号： | 202110467024.8 | 申请日： | 2021-04-28 |
| 公开（公告）号： | CN113380666B | 公开（公告）日： | 2022-08-09 |
| 发明（设计）人： | 林超峰 | 申请（专利权）人： | 华研伟福科技（深圳）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67 |
| 代理公司： | 深圳市兰锋盛世知识产权代理有限公司 44504 | 代理人： | 罗炳锋 |
| 地址： | 518000 广东省深圳市南山区西丽街*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种用于台面大功率半导体器件多层复合膜钝化结构的装置，其结构包括底座、旋转腔、涂覆装置、半导体器件，本发明进行使用时，将半导体器件通过吸盘稳定固定在旋转杆上，通过套接件带动卡杆在滑动调杆上进行上下调整位置，使得涂覆组件可以直接与半导体器件相接触，通过卡扣对涂覆组件的位置进行定位限制，防止涂覆组件在工作中出现位移，通过输入口将玻璃胶灌输到涂覆组件内部，通过涂覆组件将玻璃胶均匀稳定的涂覆在半导体器件表面，保证半导体器件后续可以有效进行加工，提高半导体器件的使用特性和使用质量。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 用于 台面 大功率 半导体器件 多层 复合 钝化 结构 装置 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
