[发明专利]一种用于台面大功率半导体器件多层复合膜钝化结构的装置

权利要求书

1.一种用于台面大功率半导体器件多层复合膜钝化结构的装置，其结构包括底座(1)、旋转腔(2)、涂覆装置(3)、半导体器件(4)，其特征在于：

所述底座(1)上安装有旋转腔(2)，所述旋转腔(2)与半导体器件(4)相接，所述半导体器件(4)上设有涂覆装置(3)，所述涂覆装置(3)插嵌在底座(1)上；

所述旋转腔(2)包括有防护腔(21)、吸盘(22)、旋转杆(23)、卡固座(24)，所述防护腔(21)上设有卡固座(24)，所述卡固座(24)与旋转杆(23)活动卡合，所述旋转杆(23)与吸盘(22)固定连接，所述防护腔(21)通过底座(1)与涂覆装置(3)相连，所述吸盘(22)与半导体器件(4)相接；

所述涂覆装置(3)包括有涂覆组件(31)、滑轨(32)、卡杆(33)、卡扣(34)、套接件(35)、滑动调杆(36)，所述涂覆组件(31)与滑轨(32)滑动连接，所述滑轨(32)连接在卡杆(33)上，所述卡杆(33)与卡扣(34)相扣接，所述卡杆(33)与套接件(35)镶嵌合，所述套接件(35)与滑动调杆(36)相套合，所述涂覆组件(31)设在半导体器件(4)上，所述滑动调杆(36)通过底座(1)与防护腔(21)相连；

所述涂覆组件(31)包括有输入口(311)、滑块(312)、分隔件(313)、接收槽(314)、导料件(315)，所述输入口(311)与接收槽(314)相连通，所述接收槽(314)与滑块(312)、分隔件(313)相接，所述分隔件(313)与导料件(315)相连通，所述滑块(312)与滑轨(32)滑动连接，所述导料件(315)设在半导体器件(4)上；

所述分隔件(313)包括有网格导板(S1)、框体(S2)，所述网格导板(S1)与框体(S2)相吻合，所述框体(S2)与接收槽(314)相接，所述网格导板(S1)与导料件(315)相连通；

所述导料件(315)包括有溢流口(T1)、凸起(T2)、接料腔(T3)、斜流板(T4)，所述溢流口(T1)设在接料腔(T3)上，所述接料腔(T3)两侧均设有斜流板(T4)，所述斜流板(T4)与凸起(T2)相贴合，所述接料腔(T3)与网格导板(S1)相连通，所述溢流口(T1)设在半导体器件(4)上；

所述套接件(35)包括有卡板(351)、接触头(352)、移动块(353)、叠合套(354)、弹性件(355)，所述卡板(351)紧贴于移动块(353)，所述卡板(351)上设有叠合套(354)，所述弹性件(355)与叠合套(354)、接触头(352)相接，所述移动块(353)与卡杆(33)镶嵌合，所述移动块(353)与滑动调杆(36)相套合；

所述滑动调杆(36)包括有连杆(361)、滑片(362)、挡板(363)、辅助调件(364)、凹接口(365)，所述连杆(361)与挡板(363)固定连接，所述连杆(361)两侧均设有辅助调件(364)，所述辅助调件(364)上设有凹接口(365)，所述辅助调件(364)与滑片(362)相贴合，所述连杆(361)通过底座(1)与防护腔(21)相连，所述辅助调件(364)与接触头(352)相接触；

所述斜流板(T4)呈三角形结构，斜流板(T4)与接料腔(T3)的侧壁相吻合；

所述凹接口(365)设有八个，八个凹接口(365)对称设在两块辅助调件(364)上。