[发明专利]一种用于台面大功率半导体器件多层复合膜钝化结构的装置有效
申请号: | 202110467024.8 | 申请日: | 2021-04-28 |
公开(公告)号: | CN113380666B | 公开(公告)日: | 2022-08-09 |
发明(设计)人: | 林超峰 | 申请(专利权)人: | 华研伟福科技(深圳)有限公司 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67 |
代理公司: | 深圳市兰锋盛世知识产权代理有限公司 44504 | 代理人: | 罗炳锋 |
地址: | 518000 广东省深圳市南山区西丽街*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 用于 台面 大功率 半导体器件 多层 复合 钝化 结构 装置 | ||
本发明公开了一种用于台面大功率半导体器件多层复合膜钝化结构的装置,其结构包括底座、旋转腔、涂覆装置、半导体器件,本发明进行使用时,将半导体器件通过吸盘稳定固定在旋转杆上,通过套接件带动卡杆在滑动调杆上进行上下调整位置,使得涂覆组件可以直接与半导体器件相接触,通过卡扣对涂覆组件的位置进行定位限制,防止涂覆组件在工作中出现位移,通过输入口将玻璃胶灌输到涂覆组件内部,通过涂覆组件将玻璃胶均匀稳定的涂覆在半导体器件表面,保证半导体器件后续可以有效进行加工,提高半导体器件的使用特性和使用质量。
技术领域
本发明涉及大功率半导体器件领域,具体涉及到一种用于台面大功率半导体器件多层复合膜钝化结构的装置。
背景技术
随着当前科技的快速发展,芯片的应用越来越广,各种电子设备对芯片及芯片封装结构的质量也提出了越来越高的要求,为了防止芯片表面沾污上腐蚀介质,通常都需要在半导体器件表面覆盖保护介质膜以形成钝化层进行保护,通过调节元件对玻璃胶进行稳定涂敷,半导体器件在进行钝化处理时,需要改进的地方:
半导体器件在进行钝化处理时,需要对半导体器件表面上覆上α-多晶硅层、半绝缘多晶硅薄膜、低温热氧化层、高温Si3N4薄膜、玻璃钝化层和低温热氧化层,在进行涂敷玻璃的过程中,一般都是采用刮涂方法将玻璃胶涂抹在晶片表面,工作人员控制刮刀力度不一致,导致晶片表面玻璃胶厚薄不一,严重影响后续晶片加工,并对晶片特性极易造成不良。
发明内容
针对现有技术存在的不足,本发明是通过如下的技术方案来实现:一种用于台面大功率半导体器件多层复合膜钝化结构的装置,其结构包括底座、旋转腔、涂覆装置、半导体器件,所述底座上安装有旋转腔,所述旋转腔上设有与之相接的半导体器件,所述半导体器件顶部设有涂覆装置,所述涂覆装置垂直插嵌在底座一侧,所述涂覆装置通过底座与旋转腔相连。
作为发明内容的进一步优化,所述旋转腔包括有防护腔、吸盘、旋转杆、卡固座,所述防护腔中间位置设有卡固座,所述卡固座与旋转杆活动卡合,所述旋转杆顶部设有吸盘且两者固定连接,所述防护腔通过底座与涂覆装置相连,所述吸盘与半导体器件相接。
作为发明内容的进一步优化,所述涂覆装置包括有涂覆组件、滑轨、卡杆、卡扣、套接件、滑动调杆,所述涂覆组件与滑轨滑动连接,所述滑轨固定连接在卡杆上,所述卡杆朝向滑轨的一端设有与之相扣接的卡扣,所述卡杆与套接件镶嵌合,所述套接件与滑动调杆相套合,所述涂覆组件设在半导体器件上,所述滑动调杆通过底座与防护腔相连。
作为发明内容的进一步优化,所述涂覆组件包括有输入口、滑块、分隔件、接收槽、导料件,所述输入口设在接收槽一侧且两者相连通,所述接收槽一端设有与之相接的滑块,另一端与分隔件相接,所述分隔件与导料件相连通,所述滑块与滑轨滑动连接,所述导料件设在半导体器件上。
作为发明内容的进一步优化,所述分隔件包括有网格导板、框体,所述网格导板与框体相吻合,所述框体与接收槽相接,所述网格导板与导料件相连通。
作为发明内容的进一步优化,所述导料件包括有溢流口、凸起、接料腔、斜流板,所述溢流口设在接料腔底部,所述接料腔两侧均设有斜流板,所述斜流板远离接料腔的一端设有与之相贴合的凸起,所述接料腔与网格导板相连通,所述溢流口设在半导体器件上。
作为发明内容的进一步优化,所述套接件包括有卡板、接触头、移动块、叠合套、弹性件,所述卡板紧贴于移动块一侧,所述卡板远离移动块的一端设有叠合套,所述叠合套与弹性件相连接,所述弹性件与接触头相接,所述移动块与卡杆镶嵌合,所述移动块与滑动调杆相套合。
作为发明内容的进一步优化,所述滑动调杆包括有连杆、滑片、挡板、辅助调件、凹接口,所述连杆与挡板固定连接,所述连杆两侧均设有与之相贴合的辅助调件,所述辅助调件上设有凹接口,所述辅助调件与滑片相贴合,所述连杆通过底座与防护腔相连,所述辅助调件与接触头相接触。
作为发明内容的进一步优化,所述斜流板呈三角形结构,斜流板与接料腔的侧壁相吻合。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造