[发明专利]一种标定薄膜材料XPS深度剖析刻蚀速率的方法在审
| 申请号： | 202110464287.3 | 申请日： | 2021-04-28 |
| 公开（公告）号： | CN113218983A | 公开（公告）日： | 2021-08-06 |
| 发明（设计）人： | 单宇;李福胜;王秀娜;刘畅 | 申请（专利权）人： | 大连理工大学 |
| 主分类号： | G01N23/2273 | 分类号： | G01N23/2273;G01N23/2202 |
| 代理公司： | 大连理工大学专利中心 21200 | 代理人： | 隋秀文;温福雪 |
| 地址： | 116024 辽*** | 国省代码： | 辽宁;21 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 本发明涉及表面分析技术领域，特别指一种标定薄膜材料XPS深度剖析刻蚀速率的方法。本发明通过真空蒸镀法制备平整薄膜样品，经过离子刻蚀后使用探针式表面轮廓仪标定弧坑深度，进而获得该薄膜样品真实离子刻蚀速率和刻蚀深度。由于不同材料的性质差别较大，如果按照仪器参考值设定刻蚀速率，其实际刻蚀速率与仪器参考值可能会相差巨大，这就导致对材料表界面进行刻蚀分析时会产生较大偏差。此方法实施简单且结果直观、准确，解决了目前对深度剖析刻蚀速率无法精确测定的难题。在对薄膜材料进行深度剖析和刻蚀分析时，有助于提高XPS分析的准确度。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 标定 薄膜 材料 xps 深度 剖析 刻蚀 速率 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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