[发明专利]一种SOI体接触器件结构及其形成方法

摘要

本发明提供的一种SOI体接触器件结构及其形成方法中，所述SOI体接触器件结构包括SOI衬底，所述SOI衬底具有有源区，所述SOI衬底的有源区上形成有SAB层和栅极结构，所述SAB层和栅极结构垂直且呈T字型设置，所述SAB层和栅极结构将所述有源区划分为位于所述SAB层上方的体接触区，位于SAB层下方且被有源区间隔设置的源区和漏区；其中，所述SAB层的厚度远小于所述栅极结构的高度。本发明采用所述SAB层替代原有的栅极，可以降低位于第一区域和第二区域之间上方结构的厚度，同时没有了侧墙，其不影响源区和漏区上方的钴硅化物层的形成效果，避免了漏电的现象，提高了SOI体接触器件的电性性能。