[发明专利]一种SOI体接触器件结构及其形成方法

权利要求书

1.一种SOI体接触器件结构，其特征在于，包括SOI衬底，所述SOI衬底具有有源区，所述SOI衬底的有源区上形成有SAB层和栅极结构，所述SAB层和栅极结构垂直且呈T字型设置，所述SAB层和栅极结构将所述有源区划分为位于所述SAB层上方的体接触区，位于SAB层下方且被有源区间隔设置的源区和漏区；

其中，所述SAB层的厚度远小于所述栅极结构的高度。

2.如权利要求1所述的SOI体接触器件结构，其特征在于，所述SAB层的厚度为栅极结构的高度的0.3倍以下。

3.如权利要求2所述的SOI体接触器件结构，其特征在于，所述SAB层的厚度为栅极结构的高度的0.15倍以下。

4.如权利要求1-3中任一项所述的SOI体接触器件结构，其特征在于，所述栅极结构包括栅氧化层以及位于所述栅氧化层上的栅极。

5.如权利要求1-3中任一项所述的SOI体接触器件结构，其特征在于，所述SOI衬底包括衬底、绝缘埋层和顶层硅，所述衬底和顶层硅均掺杂了P型离子。

6.如权利要求5所述的SOI体接触器件结构，其特征在于，所述绝缘埋层为埋氧化层，其厚度小于500nm。

7.如权利要求6所述的SOI体接触器件结构，其特征在于，所述体接触区位于P型重掺杂区域，所述源区和漏区位于N型掺杂区域。

8.如权利要求7所述的SOI体接触器件结构，其特征在于，所述源区和漏区的SOI衬底上还形成有钴硅化合物层。

9.如权利要求8所述的SOI体接触器件结构，其特征在于，所述有源区上还形成有介质层，所述介质层覆盖所述有源区的钴硅化合物层、SAB层和栅极结构，在所述介质层中形成有接触孔，所述接触孔用于将所述源区、漏区、体接触区及栅极引出。

10.一种SOI体接触器件结构的形成方法，用于制备如权利要求1～9中任一项所述的SOI体接触器件结构，其特征在于，包括以下步骤：

提供一SOI衬底，所述SOI衬底具有有源区；以及

在所述有源区的SOI衬底上形成SAB层和栅极，所述SAB层和栅极垂直且呈T字型设置，且所述SAB层和栅极结构将所述有源区划分为位于所述SAB层上方的体接触区，位于SAB层下方且被有源区间隔设置的源区和漏区，其中，所述SAB层的厚度远小于所述栅极结构的高度。

11.如权利要求10所述的SOI体接触器件结构的形成方法，其特征在于，形成SAB层和栅极之后还包括：

在所述源区和漏区的SOI衬底上执行Ar溅射预清洗工艺；以及

在所述源区和漏区的SOI衬底上执行钴溅射工艺，以在所述源区和漏区的SOI衬底的表面形成钴硅化合物层，从而形成SOI体接触器件结构。