[发明专利]具有双层外延结构的Trench MOS肖特基整流器件及制造方法在审
| 申请号： | 202110460839.3 | 申请日： | 2021-04-27 |
| 公开（公告）号： | CN113066856A | 公开（公告）日： | 2021-07-02 |
| 发明（设计）人： | 高耿辉;田洪光;黄福成;李晓婉;曲艳凯 | 申请（专利权）人： | 厦门吉顺芯微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/872;H01L21/329 |
| 代理公司： | 福州元创专利商标代理有限公司 35100 | 代理人： | 丘鸿超;蔡学俊 |
| 地址： | 361021 福建省厦门*** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | 本发明提出一种具有双层外延结构的Trench MOS肖特基整流器件及制造方法，其特征在于：带有双层外延结构，其上下两层N型掺杂外延层的掺杂浓度和厚度不同。该方案在保障保证反向电压和反向漏电特性的前提下，实现了正向压降；并通过双层外延结构，由于上层外延浓度低的特点改善了反向偏置下势垒金属附近电场强度；下层外延浓度高可以降低正向导通时提电阻。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 双层 外延 结构 trench mos 肖特基 整流 器件 制造 方法 | ||
【主权项】：
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