[发明专利]具有双层外延结构的Trench MOS肖特基整流器件及制造方法在审
| 申请号： | 202110460839.3 | 申请日： | 2021-04-27 |
| 公开（公告）号： | CN113066856A | 公开（公告）日： | 2021-07-02 |
| 发明（设计）人： | 高耿辉;田洪光;黄福成;李晓婉;曲艳凯 | 申请（专利权）人： | 厦门吉顺芯微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/872;H01L21/329 |
| 代理公司： | 福州元创专利商标代理有限公司 35100 | 代理人： | 丘鸿超;蔡学俊 |
| 地址： | 361021 福建省厦门*** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 具有 双层 外延 结构 trench mos 肖特基 整流 器件 制造 方法 | ||
1.一种双层外延结构，应用于制造Trench MOS肖特基整流器件，其特征在于：上下两层N型掺杂外延层的掺杂浓度和厚度不同。
2.根据权利要求1所述的双层外延结构，其特征在于：所述外延层的掺杂材料为硅。
3.根据权利要求1所述的双层外延结构，其特征在于：位于下方生长于N型衬底上的第一外延层的掺杂浓度高于位于上方的第二外延层。
4.根据权利要求3所述的双层外延结构，其特征在于：所述第一外延层的厚度范围为0.5um-2.0 um，电阻率为0.05Ω∙cm-0.3Ω∙cm；所述第二外延层厚度范围为2.0um-5.0 um，电阻率0.15Ω∙cm-0.5Ω∙cm。
5.一种具有双层外延结构的Trench MOS肖特基整流器件，其特征在于：带有双层外延结构，其上下两层N型掺杂外延层的掺杂浓度和厚度不同。
6.根据权利要求1所述的具有双层外延结构的Trench MOS肖特基整流器件，其特征在于：所述外延层的掺杂材料为硅。
7.根据权利要求1所述的具有双层外延结构的Trench MOS肖特基整流器件，其特征在于：位于下方生长于N型衬底上的第一外延层的掺杂浓度低于位于上方的第二外延层。
8.根据权利要求7所述的具有双层外延结构的Trench MOS肖特基整流器件，其特征在于：所述第一外延层的厚度范围为0.5um-2.0 um，电阻率为0.05Ω∙cm-0.3Ω∙cm；所述第二外延层厚度范围为2.0um-5.0 um，电阻率0.15Ω∙cm-0.5Ω∙cm。
9.根据权利要求8所述的具有双层外延结构的Trench MOS肖特基整流器件，其特征在于：所述第二外延层上沿横向间隔设置有若干个纵向的沟槽，所述沟槽自第二外延层的上表面向下延伸；
每个所述沟槽的底部以及两内侧壁热生长或淀积有绝缘介质；
在每个沟槽内淀积有多晶；
所述外延层的上方设置有势垒金属层和传导金属层。
10.一种具有双层外延结构的Trench MOS肖特基整流器件的制造方法，其特征在于，包括以下步骤：
步骤S1：在N型衬底上分两次进行外延生长，形成两层不同电阻率和厚度的N型外延层；
步骤S2：在第二外延层上沿横向间隔刻蚀形成若干个纵向的沟槽，所述沟槽自外延层的上表面向下延伸；
步骤S3：在每个沟槽的底部以及两内侧壁热生长或淀积绝缘介质；
步骤S4：在每个沟槽内淀积多晶，并且回刻至外延层上表面；
步骤S5：分别在外延层的上表面依次淀积势垒金属和传导金属。
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