[发明专利]一种MEMS加速度传感器芯片的检测方法及装置有效
| 申请号： | 202110455222.2 | 申请日： | 2021-04-26 |
| 公开（公告）号： | CN113203939B | 公开（公告）日： | 2022-03-18 |
| 发明（设计）人： | 刘婧;冯方方;李宗伟;杨长春;周永健 | 申请（专利权）人： | 中国科学院地质与地球物理研究所 |
| 主分类号： | G01R31/28 | 分类号： | G01R31/28;G01P15/08;G01P21/00 |
| 代理公司： | 北京君慧知识产权代理事务所(普通合伙) 11716 | 代理人： | 董延丽 |
| 地址： | 100029 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本申请公开了一种MEMS加速度传感器芯片的检测方法及装置，用以解决现有的MEMS加速度传感器芯片在加工完成后，不能初步判断MEMS加速度传感器芯片是否正常的技术问题。方法包括：将可变直流电压以及将预设频率的交流电压加在MEMS加速度传感器芯片的第一极板与第二极板，以获得第一极板与第二极板之间的基础电容值和加压电容值；基于获得的基础电容值和加压电容值，确定转折电压、电容变化值以及C‑V特性曲线；根据第一极板与第二极板的基础电容值、转折电压、电容变化值以及C‑V特性曲线，判断MEMS加速度传感器芯片是否正常。本申请通过上述方法实现了对加工完成后MEMS加速度传感器芯片的检测，极大的节约了成本。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 mems 加速度 传感器 芯片 检测 方法 装置 | ||
【主权项】：
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