[发明专利]一种光刻胶返工工艺方法在审
| 申请号： | 202110451837.8 | 申请日： | 2021-04-26 |
| 公开（公告）号： | CN113284791A | 公开（公告）日： | 2021-08-20 |
| 发明（设计）人： | 杨杰;蒋君;孔玉朋;宋昌万 | 申请（专利权）人： | 拓思精工科技（苏州）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;G03F7/42;B08B3/08;B08B3/02 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 215000 江苏省*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种光刻胶返工工艺方法，包括以下步骤：S1、将待处理的晶片放置在第一定位台上，使存在光刻胶的一面朝向第一喷淋头；S2、第一喷淋头喷出丙酮对待处理的晶片进行喷淋；S3、将丙酮喷淋后的晶片移至第二定位台，使受到丙酮喷淋的一面朝向第二喷淋头；S4、第二喷淋头喷出清水对丙酮喷淋后的晶片进行刷洗。本发明采用丙酮溶液对待处理的蓝宝石晶片进行喷淋，喷淋后可直接使用清水对蓝宝石晶片进行刷洗，减少了50％丙酮溶液的用量，大大降低了成本，并且无需采用浓硫酸对蓝宝石晶片进行二次处理，减少了浓硫酸的使用，进一步降低成本，同时还能够保证对蓝宝石晶片实现较好的处理效果。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 光刻 返工 工艺 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于拓思精工科技（苏州）有限公司，未经拓思精工科技（苏州）有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202110451837.8/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种定频多联式冷冻冷藏设备
- 下一篇：基于HCT的红外脑成像图谱采集装置
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
