[发明专利]一种光刻胶返工工艺方法

说明书

本发明公开了一种光刻胶返工工艺方法，包括以下步骤：S1、将待处理的晶片放置在第一定位台上，使存在光刻胶的一面朝向第一喷淋头；S2、第一喷淋头喷出丙酮对待处理的晶片进行喷淋；S3、将丙酮喷淋后的晶片移至第二定位台，使受到丙酮喷淋的一面朝向第二喷淋头；S4、第二喷淋头喷出清水对丙酮喷淋后的晶片进行刷洗。本发明采用丙酮溶液对待处理的蓝宝石晶片进行喷淋，喷淋后可直接使用清水对蓝宝石晶片进行刷洗，减少了50％丙酮溶液的用量，大大降低了成本，并且无需采用浓硫酸对蓝宝石晶片进行二次处理，减少了浓硫酸的使用，进一步降低成本，同时还能够保证对蓝宝石晶片实现较好的处理效果。

技术领域

本发明属于晶片刷洗技术领域，尤其涉及一种光刻胶返工工艺方法。

背景技术

在LED芯片的生产加工过程中其中有一段PSS工艺制程，需要使用到蓝宝石寸底晶片，在蓝宝石晶片寸底的表面涂布光刻胶后进行光刻机刻线路再进行显影作业，在此过程中往往会出现光刻胶涂布不均匀或掉胶等现象不良晶片，针对此类型的不良晶片,需要对其进行返工处理再利用,首先将蓝宝石晶片上的光刻胶去除,再通过刷洗晶片表面使其表面洁净度达到从新利用标准。

传统的刷洗方法为先将蓝宝石晶片放入丙酮内进行浸泡处理漂洗处理甩干,处理后再将其放入浓硫酸进行高温浸泡处理漂洗处理甩干，这种处理方式需要消耗大量的丙酮溶液，需要采用浓硫酸对晶片作进一步处理，导致成本消耗比较高，也比较不环保，容易产生比较多的危化品废液，并且在传统的作业过程中，人工在操作中安全性也比较不够好，同时，传统方式中采用的丙酮及硫酸，在使用一段时间后的药性具有衰减性，从而导致清洗出来的晶片品质致性稳定性比较差。

发明内容

本发明克服了现有技术的不足，提供一种光刻胶返工工艺方法，以解决现有技术中存在的问题。

为达到上述目的，本发明采用的技术方案为：一种光刻胶返工工艺方法，包括以下步骤：

S1、将待处理的晶片放置在第一定位台上，使存在光刻胶的一面朝向第一喷淋头；

S2、第一喷淋头喷出丙酮对待处理的晶片进行喷淋；

S3、将丙酮喷淋后的晶片移至第二定位台，使受到丙酮喷淋的一面朝向第二喷淋头；

S4、第二喷淋头喷出清水对丙酮喷淋后的晶片进行刷洗。

本发明一个较佳实施例中，在步骤S1中，所述第一定位台采用一组吸盘对待处理的晶片进行定位，在步骤S3中，所述第二定位台采用另一组吸盘对待处理的晶片进行定位。

本发明一个较佳实施例中，所述吸盘为真空吸盘。

本发明一个较佳实施例中，步骤S2中，采用的丙酮溶液为纯丙酮。

本发明一个较佳实施例中，所述第一喷淋头与所述第二喷淋头均为喷淋杆。

本发明一个较佳实施例中，步骤S2中，采用丙酮对晶片喷淋的时间为30s～40s。

本发明解决了背景技术中存在的缺陷，本发明具备以下有益效果：

本发明采用丙酮溶液对待处理的蓝宝石晶片进行喷淋，喷淋后可直接使用清水对蓝宝石晶片进行刷洗，减少了50％丙酮溶液的用量，大大降低了成本，并且无需采用浓硫酸对蓝宝石晶片进行二次处理，减少了浓硫酸的使用，进一步降低成本，同时还能够保证对蓝宝石晶片实现较好的处理效果，保证蓝宝石晶片处理后的一致性。

附图说明

下面结合附图和实施例对本发明进一步说明；

图1为本发明优选实施例对晶片的刷洗结构示意图；

图中：1、定位台；2、喷淋头；3、吸盘。

具体实施方式