[发明专利]高边功率MOSFET的驱动保护电路有效
| 申请号： | 202110449616.7 | 申请日： | 2021-04-25 |
| 公开（公告）号： | CN112994669B | 公开（公告）日： | 2021-08-17 |
| 发明（设计）人： | 不公告发明人 | 申请（专利权）人： | 浙江地芯引力科技有限公司 |
| 主分类号： | H03K17/08 | 分类号： | H03K17/08 |
| 代理公司： | 北京辰权知识产权代理有限公司 11619 | 代理人： | 孔垂超 |
| 地址： | 311215 浙江省杭州市萧*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本申请公开了一种高边功率MOSFET的驱动保护电路，包括低压输入控制电路、第一电平转换电路、第二电平转换电路、第三电平转换电路和驱动电路；低压输入控制电路分别与第一电平转换电路、第二电平转换电路和第三电平转换电路相连接；驱动电路分别与第一电平转换电路和第三电平转换电路相连接；所述第二电平转换电路与所述第三电平转换电路相连接；所述低压输入控制电路用于分别控制所述第一电平转换电路、所述第二电平转换电路和所述第三电平转换电路的电压转换以驱动高边功率MOSFET工作。本申请的高边功率MOSFET的驱动保护电路，能确保高边功率MOSFET用于高边驱动时既能正常开启又能正常关断，同时还能保护高边功率MOSFET正常工作不被过压击穿。 | ||
| 搜索关键词： | 功率 mosfet 驱动 保护 电路 | ||
【主权项】：
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