[发明专利]包括冷却气体供应的立式批处理炉组件在审
| 申请号： | 202110447014.8 | 申请日： | 2021-04-25 |
| 公开（公告）号： | CN113555298A | 公开（公告）日： | 2021-10-26 |
| 发明（设计）人： | M.维尔巴斯;C.G.M.德里德 | 申请（专利权）人： | ASMIP私人控股有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 焦玉恒 |
| 地址： | 荷兰阿*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一种立式批处理炉组件包括芯管、外壳、由外壳和芯管界定并包围的冷却室以及在冷却室中发出的至少一个冷却气体供应。芯管具有沿纵向方向延伸的细长周向壁，并且配置成容纳晶片以在立式批处理炉组件中进行处理。外壳围绕芯管延伸并包括加热元件，用于对容纳在芯管中的晶片施加热处理。至少一个冷却气体供应包括至少一个冷却气体供应开口，其布置成使得冷却气体沿与周向壁基本相切的流动方向进入冷却室。 | ||
| 搜索关键词： | 包括 冷却 气体 供应 立式 批处理 组件 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
