[发明专利]包括冷却气体供应的立式批处理炉组件在审
申请号: | 202110447014.8 | 申请日: | 2021-04-25 |
公开(公告)号: | CN113555298A | 公开(公告)日: | 2021-10-26 |
发明(设计)人: | M.维尔巴斯;C.G.M.德里德 | 申请(专利权)人: | ASMIP私人控股有限公司 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67 |
代理公司: | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人: | 焦玉恒 |
地址: | 荷兰阿*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 包括 冷却 气体 供应 立式 批处理 组件 | ||
1.一种立式批处理炉组件(10),包括:
-芯管(12),其具有沿纵向方向延伸的细长周向壁(14),其中,所述芯管(12)配置成容纳晶片以在立式批处理炉组件(10)中进行处理;
-外壳(16),其围绕芯管(12)延伸并包括加热元件(18),用于对容纳在芯管(12)中的晶片施加热处理;
-冷却室(20),其在径向外侧由外壳(16)界定且在径向内侧由芯管(12)界定;以及
-至少一个冷却气体供应,其在冷却室(20)中发出,其中,所述冷却气体供应包括至少一个冷却气体供应开口(26),其配置成使得冷却气体沿与周向壁(14)基本相切的流动方向进入冷却室(20)。
2.根据权利要求1所述的立式间歇式炉,其中,所述基本相切的流动方向包括与所述细长周向壁(14)的纵向方向成90°±15°范围的角度。
3.根据权利要求1或2所述的立式间歇式炉,其中,所述基本相切的流动方向包括与通过所述周向壁的最接近所述相应的冷却气体供应开口(26)并且与周向壁相切的点的平面成0°±10°范围的角度。
4.根据权利要求1-3中任一项所述的立式批处理炉组件,其中,每个冷却气体供应包括冷却气体入口管(22),该冷却气体入口管的端部部分(24)延伸到所述冷却室(20)中,其中,所述端部部分(24)设置有所述至少一个冷却气体供应开口(26)。
5.根据权利要求4所述的立式批处理炉组件,其中,每个冷却气体入口管(22)被实施为一个整体部分。
6.根据权利要求4或5所述的立式批处理炉组件,其中,每个冷却气体入口管(22)由陶瓷材料制成。
7.根据权利要求4-6中任一项所述的立式批处理炉组件,其中,延伸到所述冷却室(20)中的冷却气体入口管(22)的轴向端部(28)被封闭。
8.根据前述权利要求中任一项所述的立式批处理炉组件,其中,所述至少一个冷却气体供应包括围绕所述芯管(12)均匀间隔开的多个冷却气体供应。
9.根据前述权利要求中任一项所述的立式批处理炉组件,还包括至少一个冷却气体排放(30),其包括至少一个排放开口,以从所述冷却室(20)排放冷却气体,其中,在运行中,所发出的冷却气体从所述至少一个冷却气体供应(22)沿着所述芯管(12)的细长周向壁(14)流到所述至少一个冷却气体排放(30)。
10.根据权利要求9所述的立式批处理炉组件,其中,所述至少一个冷却气体排放(30)包括围绕所述芯管(12)均匀间隔开的多个冷却气体排放(30)。
11.根据权利要求9-10中任一项所述的立式批处理炉组件,其中,所述至少一个冷却气体供应(22)布置在所述冷却室的第一纵向端部(32)处或附近,并且所述至少一个冷却气体排放(30)布置在所述冷却室(34)的第二纵向端部处或附近。
12.根据权利要求9-11中任一项所述的立式批处理炉组件,还包括冷却气体再循环通道(36、36a、36b),其从所述至少一个冷却气体排放(30)延伸到所述至少一个冷却气体供应(22),所述冷却气体再循环通道(36a、36b)包括:
-压力增加装置(38),比如风扇或鼓风机;以及
-热交换器(40),其配置为冷却再循环通道(36a、36b)中的冷却气体。
13.根据权利要求12所述的立式批处理炉组件,其中,所述压力增加装置(38)布置在所述热交换器(40)的下游。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造