[发明专利]包括冷却气体供应的立式批处理炉组件在审
申请号: | 202110447014.8 | 申请日: | 2021-04-25 |
公开(公告)号: | CN113555298A | 公开(公告)日: | 2021-10-26 |
发明(设计)人: | M.维尔巴斯;C.G.M.德里德 | 申请(专利权)人: | ASMIP私人控股有限公司 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67 |
代理公司: | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人: | 焦玉恒 |
地址: | 荷兰阿*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 包括 冷却 气体 供应 立式 批处理 组件 | ||
一种立式批处理炉组件包括芯管、外壳、由外壳和芯管界定并包围的冷却室以及在冷却室中发出的至少一个冷却气体供应。芯管具有沿纵向方向延伸的细长周向壁,并且配置成容纳晶片以在立式批处理炉组件中进行处理。外壳围绕芯管延伸并包括加热元件,用于对容纳在芯管中的晶片施加热处理。至少一个冷却气体供应包括至少一个冷却气体供应开口,其布置成使得冷却气体沿与周向壁基本相切的流动方向进入冷却室。
技术领域
本公开总体上涉及一种包括冷却气体供应的立式批处理炉组件。
背景技术
大多数立式批处理炉设置有芯管,芯管配置成容纳要在立式批处理炉中处理的晶片。在立式间歇式炉中进行处理时,晶片和芯管可能会变热。为了加快立式批处理炉组件的通过量,可以冷却芯管。冷却气体可以从在芯管的周向壁与外壳之间的冷却室的侧面处的多个周向间隔开的开口供应。
发明内容
提供本发明内容是为了以简化的形式介绍概念选择。在下面本公开的示例实施例的详细描述中进一步详细描述了这些概念。本发明内容既不旨在标识所要求保护的主题的关键特征或必要特征,也不旨在用于限制所要求保护的主题的范围。
可以认识到,周向间隔开的开口可以在芯管的周向壁上局部地产生冷点。这样的冷点可能导致周向壁内的温度差异,这可能导致所述周向壁中的应力。此外,芯管内部的晶片也可能暴露于温差,这可能导致所述晶片的破裂。
因此,本发明的目的是提供一种可以减轻上述问题的立式批处理炉组件。
为此,可以提供一种立式批处理炉组件。更具体地,可以提供一种立式批处理炉组件,其包括芯管、外壳、由外壳和芯管界定并包围的冷却室以及在冷却室中发出的至少一个冷却气体供应。芯管可以具有沿纵向方向延伸的细长周向壁,并且芯管可以配置成容纳晶片以在立式批处理炉组件中进行处理。外壳可以围绕芯管延伸并且可以包括加热元件,用于对容纳在芯管中的晶片施加热处理。冷却气体供应可以包括至少一个冷却气体供应开口,其布置成使得冷却气体沿与周向壁基本相切的流动方向进入冷却室。
还可以提供一种用于冷却立式批处理炉的方法。更具体地,可以提供一种方法,包括:提供根据说明书的立式批处理炉10;以及沿与周向壁基本相切的流动方向在冷却室20中供应冷却气体。基本相切的流动方向可以包括与细长周向壁14的纵向方向成90°±15°范围的角度,并且可以包括与通过周向壁的最接近所述相应的冷却气体供应开口并且与周向壁相切的点的平面成0°±10°范围的角度。
为了概述本发明以及与现有技术相比所获得的优点,在上文中已经描述了本发明的某些目的和优点。当然,应当理解,根据本发明的任何特定实施例,不一定可以实现所有这些目的或优点。因此例如,本领域技术人员将认识到,本发明可以以实现或优化本文所教导或暗示的一个优点或一组优点的方式实施或执行,而不必实现本文可能教导或暗示的其他目的或优点。
在从属权利要求中要求保护各种实施例,将参考附图中示出的示例进一步阐明这些实施例。实施例可以组合或者可以彼此分离地应用。
所有这些实施例都旨在落入本文所公开的本发明的范围内。通过参考附图对某些实施例的以下详细描述,这些及其他实施例对于本领域技术人员将变得显而易见,本发明不限于所公开的任何特定实施例。
附图说明
尽管说明书以特别指出并明确要求保护被认为是本发明的实施例的权利要求作为结尾,但当结合附图阅读时,可以更容易地从本公开的实施例的某些示例的描述中确定本公开的实施例的优点,其中:
图1示出了根据说明书的立式批处理炉组件的示例;
图2是图1的示例的外壳的顶部部分的俯视图;
图3示意性地示出了图2的细节的分解透视图;以及
图4示意性地示出了根据说明书的冷却气体入口管的端部部分的示例的截面图。
具体实施方式
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造