[发明专利]选区刻蚀外延Micro-LED芯片及其设计、制备方法有效
| 申请号： | 202110439336.8 | 申请日： | 2021-04-23 |
| 公开（公告）号： | CN113206176B | 公开（公告）日： | 2022-03-15 |
| 发明（设计）人： | 周圣军;陶国裔;万泽洪;钱胤佐 | 申请（专利权）人： | 武汉大学 |
| 主分类号： | H01L33/06 | 分类号： | H01L33/06;H01L33/32;H01L33/50;H01L33/00;H01L25/16;H01L21/50 |
| 代理公司： | 武汉科皓知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 42222 | 代理人： | 肖明洲 |
| 地址： | 430072 湖*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： |
本发明公开了一种选区刻蚀外延Micro‑LED芯片及其设计、制备方法。具体为：在蓝宝石衬底上依次生长n‑GaN层、多量子阱层、p‑GaN层，沉积SiO |
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| 搜索关键词： | 选区 刻蚀 外延 micro led 芯片 及其 设计 制备 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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