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[发明专利]一种SiC高温压力传感器及其封装方法-CN201911037821.1有效
发明人：周圣军;于圣韬;徐浩浩;万泽洪 -专利权人：武汉大学
申请日： 2019-10-29 - 公布日： 2023-07-25 - 主分类号： B81B7/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种SiC高温压力传感器及其封装方法，传感器包括SiC MEMS芯片、AlN载体、弹性金属膜、支撑管壳、导热基座和多根导电接线柱，导热基座安装在支撑管壳内，所述AlN载体固定安装在导热基座上，所述SiC MEMS芯片固定安装在AlN载体上，所述弹性金属膜设于SiC MEMS芯片上方的支撑管壳上，SiC MEMS芯片与AlN载体相贴的一面刻蚀有减薄的自密封空腔，所述导电接线柱从支撑管壳下端贯穿导热基座后与SiC MEMS芯片的电极相连，且导电接线柱与导热基座之间设有绝缘层。将上述装配结构放入导热硅油中，利用环形塞帽将弹性金属膜压配到支撑管壳中，完成SiC高温压力传感器封装。本发明封装成本低廉，可靠性好，将芯片与介质完全隔离，可在500℃以上高温条件下连续工作。
一种 sic 高温压力传感器及其封装方法

[发明专利]一种悬臂梁结构的SiC温度传感器及其制造方法-CN201910981318.5有效
发明人：周圣军;万泽洪;徐浩浩 -专利权人：武汉大学
申请日： 2019-10-16 - 公布日： 2022-12-16 - 主分类号： B81B7/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种悬臂梁结构的SiC温度传感器及其制造方法，所述温度传感器结构包括：具有多层结构的MEMS悬臂梁、惠斯通电桥检测电路以及四个金属焊盘。所述具有多层结构的MEMS悬臂梁自下而上共有SiC底层、复合硅化合物中间层以及顶部金属层。所述SiC底层包括三部分：压阻区域、电连接线路区域以及未掺杂区域；所述复合硅化合物中间层为多个硅化合物薄层堆叠形成的复合中间层。所述惠斯通电桥检测电路通过离子注入工艺在SiC底层形成，其由压阻区域和电连接线路区域组成，所述电连接线路区域包括电极和连接电路。本发明SiC温度传感器能够在高温环境下实现对温度的精确测量，通过复合硅化合物中间层不仅实现了绝缘保护，还能有效防止热应力损坏。
一种悬臂梁结构 sic 温度传感器及其制造方法

[发明专利]一种三基色Micro-LED芯片的转移方法-CN202210558668.2在审
发明人：周圣军;孙月昌;施浪;万泽洪;雷宇 -专利权人：武汉大学
申请日： 2022-05-20 - 公布日： 2022-08-30 - 主分类号： H01L33/48 文献下载
摘要：本发明属于半导体显示技术领域，公开了一种三基色Micro‑LED芯片的转移方法。本发明针对单色的Micro‑LED芯片阵列，将芯片阵列从施主基板上转移至临时衬底上，在受主基板上滴加乙醇和盐水的混合物，将受主基板上的驱动电路与芯片阵列精准接触，利用乙醇和盐水的混合物降温后形成的胶体连接受主基板与芯片阵列，将临时衬底从受主基板上揭离，清洗受主基板去除胶体，至此完成单色的芯片阵列转移，然后重复上述方法，分批次完成三种单色的芯片阵列转移，实现三基色Micro‑LED芯片的转移。本发明能够将Micro‑LED芯片大规模、高效率且准确地转印至刚性基板或柔性基板上，实现三基色Micro‑LED芯片的集成。
一种基色 micro led 芯片转移方法

[发明专利]一种实现三轴测力的大量程电容式柔性传感器-CN202011458947.9有效
发明人：周圣军;崔恩康;万泽洪;雷宇 -专利权人：武汉大学
申请日： 2020-12-11 - 公布日： 2022-08-05 - 主分类号： G01L1/14 文献下载
摘要：本发明提供一种实现三轴测力的大量程电容式柔性传感器，上柔性衬底的底部设有若干高度一致的衬底凸台，上电极为覆盖在上柔性衬底底部的金属层，下电极包括若干中间电极和围绕在中间电极外围的外围电极，中间电极与外围电极一一对应；中间电极与上电极之间形成的电容传感器用于测量正向力，外围电极与上电极之间形成的电容传感器用于测量切向力。本发明利用上柔性衬底自身的柔性以及底部的衬底凸台，使得介质层被完全压缩后，上柔性衬底仍然可以压缩一定的行程，从而有效提升传感器的量程；利用下电极的排布，从而分别测量正向力和切向力。
一种实现测力量程电容柔性传感器

[发明专利]选区刻蚀外延Micro-LED芯片及其设计、制备方法-CN202110439336.8有效
发明人：周圣军;陶国裔;万泽洪;钱胤佐 -专利权人：武汉大学
申请日： 2021-04-23 - 公布日： 2022-03-15 - 主分类号： H01L33/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种选区刻蚀外延Micro‑LED芯片及其设计、制备方法。具体为：在蓝宝石衬底上依次生长n‑GaN层、多量子阱层、p‑GaN层，沉积SiO2绝缘层，在SiO2绝缘层上刻蚀微孔阵列，利用改性的p‑GaN的低导电性，电流拓展只在微孔阵列下方，实现微孔像素点的隔离，在衬底上放置颜色转换单元，包括：表面涂覆Ag的超黑矩阵遮光层、GaInP纳米线聚合物薄膜、紫外光AlGaN/GaNDBR反射镜、RGB三色滤光片，得到减少串扰提高颜色转换效率Micro‑LED芯片。
选区刻蚀外延 micro led 芯片及其设计制备方法

[发明专利]一种垂直结构深紫外LED芯片的制造方法-CN202010397372.8有效
发明人：周圣军;徐浩浩;万泽洪 -专利权人：武汉大学
申请日： 2020-05-12 - 公布日： 2021-05-18 - 主分类号： H01L33/32 文献下载
摘要：本发明公开了一种垂直结构深紫外LED芯片的制造方法。具体为：将p‑GaN欧姆接触层利用激光直写工艺加工成网格状结构，并使用了一种高反射率的p型低阻欧姆接触Ni/Al电极与p‑GaN网格进行欧姆接触，形成了较好的欧姆接触。然后通过在Ni/Al p电极导电层与外延层的n‑AlGaN层之间刻蚀沟槽阵列和内反射镜沟槽阵列，得到蜂窝状结构，Al层作为反射镜沉积在内反射镜沟槽侧壁，从而得到蜂窝状内反射器结构。通过用网格状透明p‑GaN层取代传统深紫外LED中的p‑GaN层和设计蜂窝状内反射器结构，实现了对LED有源层横向传播光子的出射，减少了深紫外LED芯片中有源区的损失，大大提高了芯片的光提取效率。
一种垂直结构深紫 led 芯片制造方法

[发明专利]Micro-LED巨量转移方法及装置-CN202011041106.8在审
发明人：周圣军;雷宇;万泽洪 -专利权人：武汉大学
申请日： 2020-09-28 - 公布日： 2020-12-29 - 主分类号： H01L21/683 文献下载
摘要：公开了一种Micro‑LED巨量转移方法及装置，所述装置包括主体结构(100)，主体结构(100)上设有用于通入气体的气道(200)，主体结构(100)与施主基板贴合的面具有容纳所述施主基板上要转移的Micro‑LED(400)的第一凹槽，所述第一凹槽内壁设有充气状态下能与所述第一凹槽内Micro‑LED(400)接触以将其从所述施主基板上揭起的气囊(311)，气囊(311)与气道(200)流体连通。本公开利用气囊(311)与Micro‑LED(400)接触时的摩擦力实现Micro‑LED的选择性巨量转移。
micro led 巨量转移方法装置

[发明专利]一种具有表面阵列凸台结构的SiC电容压力传感器及制备方法-CN202010945844.9在审
发明人：周圣军;万泽洪;雷宇 -专利权人：武汉大学
申请日： 2020-09-10 - 公布日： 2020-12-04 - 主分类号： G01L1/14 文献下载
摘要：本发明提供一种具有表面阵列凸台结构的SiC电容压力传感器及制备方法，它包括SiC衬底，SiC衬底上依次形成的p型SiC层、SiC下极板、绝缘层和SiC上极板，以及电路连接结构；SiC下极板包括圆形下极板基体，和下极板基体的上表面设置的凹槽阵列；SiC上极板包括圆形上极板基体和凸台阵列；上极板基体罩在下极板基体上，上极板基体的下表面与绝缘层的上表面之间构成空腔，且凸台阵列与凹槽阵列相匹配。在SiC上极板表面采用凸台阵列，在保证结构可靠性的前提下，减小基体圆形薄膜的厚度，从而获得更高的线性度；凸台阵列与凹槽阵列相配合，在传感器工作时上极板凸台侧壁与下极板凹槽侧壁的正对面积增大，产生额外的电容增量，大大增加传感器工作时的灵敏度。
一种具有表面阵列结构 sic 电容压力传感器制备方法

[发明专利]一种同心圆环结构的差动式SiC电容压力传感器及其制备方法-CN202010650296.7在审
发明人：周圣军;万泽洪;徐浩浩 -专利权人：武汉大学
申请日： 2020-07-08 - 公布日： 2020-11-03 - 主分类号： G01L1/14 文献下载
摘要：本发明提供一种同心圆环结构的差动式SiC电容压力传感器及制备方法，传感器的下极板包括内下极板和外下极板；内下极板为圆形，外下极板为与内下极板同心的圆环形；上极板包括内上极板、外上极板和连接板；内上极板为位于内下极板正上方、开口朝下的圆形框体；外上极板为位于外下极板正上方、开口朝下的圆环形框体；内上极板与外上极板之间通过连接板连接；下极板与上极板形成同心圆环电容结构。本发明选用同心圆环结构，不仅能够在恶劣环境下稳定工作，而且能够有效提高传感器的灵敏度及线性度。
一种同心圆环结构差动 sic 电容压力传感器及其制备方法

[发明专利]激光诱导制备纳米合金颗粒的方法-CN201910885828.2有效
发明人：周圣军;赵强;桂成群;陈东;万泽洪 -专利权人：武汉大学
申请日： 2019-09-19 - 公布日： 2020-09-08 - 主分类号： B22F9/02 文献下载
摘要：本发明提供了一种激光诱导制备纳米合金颗粒的方法，包括以下步骤：步骤1.将至少两种金属纳米材料溶液加入到离心管中，再添加适量的挥发性溶剂形成混合溶液；步骤2.超声混合溶液，使所有金属纳米材料混合均匀；步骤3.离心浓缩超声后的混合溶液，获得纳米浆料；步骤4.旋涂纳米浆料至基板上；步骤5.对旋涂完成后的基板进行真空加热干燥，在基板表面形成干燥涂覆层；步骤6.把透光片压在形成有干燥涂覆层的基板面上，然后激光穿过透光片扫描基板上的金属纳米材料，即可制得纳米合金颗粒，其中，激光的功率不低于220mW，光斑直径大于70um。本方法具有重复性好，生产速度快，效率高、耗时短，操作简单等优点。
激光诱导制备纳米合金颗粒方法

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