[发明专利]一种电化学刻蚀金刚石半导体薄膜的方法有效
| 申请号： | 202110437505.4 | 申请日： | 2021-04-22 |
| 公开（公告）号： | CN113106531B | 公开（公告）日： | 2022-04-08 |
| 发明（设计）人： | 时康;冯康康 | 申请（专利权）人： | 厦门大学 |
| 主分类号： | C25F3/12 | 分类号： | C25F3/12 |
| 代理公司： | 北京睿智保诚专利代理事务所(普通合伙) 11732 | 代理人： | 王灿 |
| 地址： | 361005 福建*** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | 本发明属于半导体制造技术领域，具体公开了一种电化学刻蚀金刚石半导体薄膜的方法。本发明通过将金刚石半导体薄膜浸入电解液中作为电解池的阴极，另采用惰性电极作为电化学电解池的阳极，在阴阳两极间施加电压15～50V的直流电，在常温常压条件下电解金刚石半导体薄膜，对金刚石薄膜表面进行刻蚀，实现对金刚石半导体薄膜的减材加工。本发明从减材加工原理上创新，提出了一种只需采用简单的设备在常温常压下仅一步就可刻蚀金刚石半导体薄膜的新方法，具有较大的经济意义和推广价值。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 电化学 刻蚀 金刚石 半导体 薄膜 方法 | ||
【主权项】：
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