[发明专利]一种大晶粒钙钛矿薄膜忆阻器存储单元的制备方法在审
| 申请号： | 202110430293.7 | 申请日： | 2021-04-21 |
| 公开（公告）号： | CN113948633A | 公开（公告）日： | 2022-01-18 |
| 发明（设计）人： | 张树芳;刘岐;常昊;贾祥瑞;王晨璐;杨露露;焦蒙蒙 | 申请（专利权）人： | 鲁东大学 |
| 主分类号： | H01L45/00 | 分类号： | H01L45/00 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 264000 山东省烟*** | 国省代码： | 山东;37 |
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| 摘要： |
目前基于无机氧化物的材料制备钙钛矿薄膜方法，制备时都涉及到高温处理工艺，但是它们本身却承受不了这样的高温而出现结构损坏，因此发展受到了严重的限制。另一种基于传统铅基制备钙钛矿薄膜材料，如杂化卤化铅钙钛矿材料制备被广泛利用，但由于铅元素具有较强的毒性且其本身环境稳定性较差，造成忆阻器存储不稳定，而且在使用过程中容易对环境造成污染。本发明一种钙钛矿薄膜忆阻器存储单元的制备方法旨在解决改善上述问题。上述钙钛矿薄膜忆阻器存储单元包括三层，衬底层、钙钛矿薄膜以及金属电极层。其中钙钛矿薄膜为CH |
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| 搜索关键词： | 一种 晶粒 钙钛矿 薄膜 忆阻器 存储 单元 制备 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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