[发明专利]半导体存储器件及其操作方法在审
| 申请号： | 202110429070.9 | 申请日： | 2021-04-21 |
| 公开（公告）号： | CN114530171A | 公开（公告）日： | 2022-05-24 |
| 发明（设计）人： | 郭鲁侠 | 申请（专利权）人： | 爱思开海力士有限公司 |
| 主分类号： | G11C7/10 | 分类号： | G11C7/10 |
| 代理公司： | 北京弘权知识产权代理有限公司 11363 | 代理人： | 许伟群;李少丹 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本公开涉及半导体存储器件及其操作方法。根据本公开的实施方式，一种半导体存储器件包括模式寄存器电路，该模式寄存器电路包括用于提供多个设置码或多个监测码的多个写入模式寄存器组；以及缺陷检测电路，其适于基于多个监测码而通过检测模式寄存器电路中的任何缺陷来输出缺陷确定信号，其中，每个写入模式寄存器组包括：存储电路，其适于根据模式寄存器写入命令存储操作码；以及输出控制电路，其适于根据测试模式信号输出存储电路中存储的操作码作为相应的设置码，或者将存储电路中存储的操作码反相以输出相应的监测码。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 存储 器件 及其 操作方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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