[发明专利]晶体管及其制造方法在审
| 申请号： | 202110428161.0 | 申请日： | 2021-04-21 |
| 公开（公告）号： | CN113284952A | 公开（公告）日： | 2021-08-20 |
| 发明（设计）人： | 李泓纬;林佑明;马礼修;杨世海 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/51;H01L21/34;H01L27/1159 |
| 代理公司： | 北京派特恩知识产权代理有限公司 11270 | 代理人： | 薛恒;徐川 |
| 地址： | 中国台湾新竹科*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明提供一种晶体管，所述晶体管包含栅极、沟道层、栅极绝缘层、钝化层、衬层、第一信号线以及第二信号线。第一信号线嵌入在钝化层中以形成在钝化层中且与沟道层交叠的第一通孔。第二信号线嵌入在钝化层中以在钝化层中形成与沟道层交叠的第二通孔。第二信号线与沟道层接触。衬层包含绝缘区以及与绝缘区连接的导电区。绝缘区安置在钝化层上方和第一通孔的侧壁上。导电区安置在第一通孔的底部下方且与沟道层连接。第一信号线通过导电区与沟道层电连接。 | ||
| 搜索关键词： | 晶体管 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
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