[发明专利]一种GaN基DBR及其制备方法在审
| 申请号： | 202110424304.0 | 申请日： | 2021-04-20 |
| 公开（公告）号： | CN113206173A | 公开（公告）日： | 2021-08-03 |
| 发明（设计）人： | 崔积适 | 申请（专利权）人： | 三明学院 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00;H01L33/10 |
| 代理公司： | 厦门智慧呈睿知识产权代理事务所(普通合伙) 35222 | 代理人： | 杨唯 |
| 地址： | 365000 福*** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种GaN基DBR的制备方法，包括以下步骤：首先在本征GaN基底上外延第一层本征GaN层，在第一层本征GaN层的中部区域进行离子注入掺杂；在掺杂后的第一层本征GaN层上再外延第二层本征GaN层和第三层本征GaN层，在第三层本征GaN层的中部区域进行离子注入掺杂；在掺杂后的第三层本征GaN层上再外延第四层本征GaN层；重复上述步骤，形成多层重复结构，通过蚀刻溶液对多层重复结构进行电化学腐蚀，掺杂区域被蚀刻溶液腐蚀形成空洞结构，得到具有GaN基/空气周期结构的DBR。由于空气和GaN的折射率的差异较大，光在DBR中传输时，部分传输方向与GaN/空气结构成一定角度的光子会在GaN柱和空气的界面形成衍射和全反射，从而增强了GaN基DBR对光的定向发射效率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 gan dbr 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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