[发明专利]一种GaN基DBR及其制备方法在审
| 申请号： | 202110424304.0 | 申请日： | 2021-04-20 |
| 公开（公告）号： | CN113206173A | 公开（公告）日： | 2021-08-03 |
| 发明（设计）人： | 崔积适 | 申请（专利权）人： | 三明学院 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00;H01L33/10 |
| 代理公司： | 厦门智慧呈睿知识产权代理事务所(普通合伙) 35222 | 代理人： | 杨唯 |
| 地址： | 365000 福*** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 gan dbr 及其 制备 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种GaN基DBR的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：
S1，首先在本征GaN基底上外延第一层本征GaN层；
S2，在第一层本征GaN层的中部区域进行离子注入掺杂；
S3，在掺杂后的第一层本征GaN层上再外延第二层本征GaN层；
S4，在第二层本征GaN层上外延第三层本征GaN层，在第三层本征GaN层的中部区域进行离子注入掺杂；在掺杂后的第三层本征GaN层上再外延第四层本征GaN层；
S5，多次重复上述步骤S4，形成多层重复结构；
S6，通过蚀刻溶液对所述多层重复结构进行电化学腐蚀，掺杂区域被蚀刻溶液腐蚀形成空洞结构，得到具有GaN基/空气周期结构的DBR。
2.根据权利要求1所述的GaN基DBR的制备方法，其特征在于，步骤S2和步骤S4中，所述离子为铝离子或铟离子。
3.根据权利要求1所述的GaN基DBR的制备方法，其特征在于，步骤S5中，重复步骤S4四次，形成包含有六层离子掺杂层的重复结构。
4.根据权利要求1所述的GaN基DBR的制备方法，其特征在于，步骤S6中，所述蚀刻溶液为氢氟酸、草酸或者氢氧化钠溶液。
5.一种GaN基DBR，其特征在于，根据权利要求1～4任意一项所述的GaN基DBR的制备方法得到；所述GaN基DBR的周缘为多层重复的无掺杂本征GaN层结构，且是作为所述GaN基DBR的支撑结构。
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