[发明专利]多稠环n型半导体材料的制备方法及其应用有效
| 申请号： | 202110420653.5 | 申请日： | 2021-04-19 |
| 公开（公告）号： | CN113512053B | 公开（公告）日： | 2022-11-29 |
| 发明（设计）人： | 黎静;杨志伟;谭陆西 | 申请（专利权）人： | 中国科学院重庆绿色智能技术研究院 |
| 主分类号： | C07F7/08 | 分类号： | C07F7/08;C07D495/22;H01L51/42;H01L51/46 |
| 代理公司： | 北京元本知识产权代理事务所(普通合伙) 11308 | 代理人： | 黎昌莉 |
| 地址： | 400700 *** | 国省代码： | 重庆;50 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种超低LUMO能级的多SN杂稠环n型有机半导体材料，该材料可应用于有机场效应晶体管，有机薄膜太阳能电池及钙钛矿电池。以1,5‑二氨基萘为初始原料，经多步合成，得到5,11‑二氟喹喔啉[6,5‑f]喹喔啉，再与1,1‑二氰基乙烯‑2,2‑二硫醇钠反应，即得所述多稠环n型半导体材料。本发明所述材料由多个芳香环稠合而成，具有较大的平面结构，且四个强吸电子基团(氰基)能有效降低分子LUMO能级，是一种具有较好发展前景的n型半导体材料。 | ||
| 搜索关键词： | 多稠环 半导体材料 制备 方法 及其 应用 | ||
【主权项】：
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