[发明专利]半导体器件及其制造方法有效
| 申请号： | 202110397617.1 | 申请日： | 2021-04-14 |
| 公开（公告）号： | CN112802902B | 公开（公告）日： | 2021-07-16 |
| 发明（设计）人： | 田矢真敏;石田浩;熊谷裕弘 | 申请（专利权）人： | 晶芯成（北京）科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L27/088;H01L29/423;H01L21/336 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 曹廷廷 |
| 地址： | 100176 北京市大兴区北京经济技术开*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提供一种半导体器件及其制造方法。所述半导体器件包括在半导体衬底上设置的非对称场效应晶体管，所述非对称场效应晶体管中的第一栅绝缘层的厚度在60nm以上，且第一栅绝缘层在第一源区一侧比第一栅极增宽形成扩展绝缘部，所述非对称场效应晶体管包括形成于所述半导体衬底内且位于扩展绝缘部下方的源极扩展区，所述源极扩展区连接第一源区和沟道区，有助于减小非对称场效应晶体管的阈值电压的离差，使晶体管特性稳定。所述制造方法可用于制造上述具有优良特性的半导体器件。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
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