[发明专利]一种减少氮化铝晶体生长前后热应力的碳化钽复合层的制备方法及其使用方法在审
| 申请号： | 202110389834.6 | 申请日： | 2021-04-12 |
| 公开（公告）号： | CN113089086A | 公开（公告）日： | 2021-07-09 |
| 发明（设计）人： | 不公告发明人 | 申请（专利权）人： | 哈尔滨科友半导体产业装备与技术研究院有限公司 |
| 主分类号： | C30B23/00 | 分类号： | C30B23/00;C30B29/40 |
| 代理公司： | 哈尔滨市伟晨专利代理事务所(普通合伙) 23209 | 代理人： | 赵君 |
| 地址： | 150000 黑龙江省哈尔滨市松北区智谷二街3*** | 国省代码： | 黑龙江;23 |
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| 摘要： | 一种减少氮化铝晶体生长前后热应力的碳化钽复合层的制备方法及其使用方法，它属于减少氮化铝晶体生长前后热应力的方法领域。本发明要解决的技术问题为有效控制氮化铝晶体生长前后热应力。本发明按照重量份数分别称量TaC粉、Ta粉，置于球磨机中球磨，得到混合粉料进行冷等静压成型，然后放入钨模具的热压烧结炉内，以20‑30MPa的压力进行真空烧结处理，然后降温冷却至室温后表面均匀铺洒称量好的铝粉，然后置于烧结炉中，以20‑30MPa的压力进行真空热压烧结，保温完成后，充入高纯氮气，取消载荷，降温后进行氮化反应后降温冷却至室温，得到碳化钽复合氮化铝层材料再次进行高温碳化反应得到复合层。本发明用于氮化铝晶体。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 减少 氮化 晶体生长 前后 应力 碳化 复合 制备 方法 及其 使用方法 | ||
【主权项】：
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