[发明专利]一种用于第三代半导体晶体生长的TaC涂层坩埚及制备方法有效
| 申请号： | 202110388484.1 | 申请日： | 2021-04-12 |
| 公开（公告）号： | CN113122918B | 公开（公告）日： | 2022-05-17 |
| 发明（设计）人： | 孟凡桂;董天下 | 申请（专利权）人： | 中南林业科技大学 |
| 主分类号： | C30B25/02 | 分类号： | C30B25/02;C30B35/00;C04B41/87 |
| 代理公司： | 长沙国科天河知识产权代理有限公司 43225 | 代理人： | 陈俊好 |
| 地址： | 410211 *** | 国省代码： | 湖南;43 |
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| 摘要： |
本发明公开一种用于第三代半导体晶体生长的TaC涂层坩埚及制备方法，该TaC涂层坩埚包括基体和TaC涂层，基体为石墨坩埚，TaC涂层生长在石墨坩埚的表面；TaC涂层与基体为反应结合，界面结合强度在3～8MPa之间。TaC涂层与基体为反应结合，界面结合强度高，不易发生脱落；此外，在气象生长条件下，TaC涂层坩埚不易被腐蚀破坏，使用寿命长，制备的晶体不会由于坩埚被破坏而污染。该制备方法利用K |
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| 搜索关键词： | 一种 用于 第三代 半导体 晶体生长 tac 涂层 坩埚 制备 方法 | ||
【主权项】：
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