[发明专利]一种二维过渡金属硫族化合物的制备方法在审
| 申请号： | 202110386315.4 | 申请日： | 2021-04-12 |
| 公开（公告）号： | CN113089088A | 公开（公告）日： | 2021-07-09 |
| 发明（设计）人： | 辛星;陈佳美;张艳梅;刘为振;徐海阳 | 申请（专利权）人： | 东北师范大学 |
| 主分类号： | C30B25/00 | 分类号： | C30B25/00;C30B29/46;C30B29/64;C23C16/30;C23C16/01;C23C16/56 |
| 代理公司： | 长春市东师专利事务所 22202 | 代理人： | 张铁生;刘莹 |
| 地址： | 130024 吉林*** | 国省代码： | 吉林;22 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种二维过渡金属硫族化合物的制备方法，它包括：1）二维过渡金属硫族化合物单晶及薄膜的制备：2）高分子聚合物保护层的涂覆；3）电化学鼓泡转移二维过渡金属硫族化合物单晶及薄膜；4）高分子聚合物保护层的去除；制备的硫族化合物薄膜厚度为0.7~1.0nm；化合物单晶层数为1~10层，整个材料成分均一、厚度可控；优点：1）本方法制备速度快；2）本方法可在常压下进行，具有操作方便、易于调控和易于大面积制备等特点；3）金基底得以反复利用，从而降低制备成本；4）制备的单晶及薄膜，具有高结晶质量，均匀层数，优异的可见光透过性及较高的光致发光特性。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 二维 过渡 金属 化合物 制备 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于东北师范大学，未经东北师范大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202110386315.4/，转载请声明来源钻瓜专利网。
