[发明专利]一种电容结构、半导体器件以及电容结构制备方法在审
| 申请号： | 202110381411.X | 申请日： | 2021-04-09 |
| 公开（公告）号： | CN113113539A | 公开（公告）日： | 2021-07-13 |
| 发明（设计）人： | 陈敏腾;何艳芬;钟定邦 | 申请（专利权）人： | 福建省晋华集成电路有限公司 |
| 主分类号： | H01L49/02 | 分类号： | H01L49/02 |
| 代理公司： | 北京聿宏知识产权代理有限公司 11372 | 代理人： | 吴大建;陈敏 |
| 地址： | 362200 福建省泉州*** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种电容结构、半导体器件以及电容结构制备方法，该电容结构包括下电极，依次形成在下电极上的介电结构、上电极、第一导电结构以及掺杂有掺杂原子的导电层，通过在上电极和导电层之间设置第一导电结构，第一导电结构可以包括第一金属硅化物，第一金属硅化物具有较高的功函数，能够有效减少导电层中的掺杂原子向上电极中泄漏，另外，设置第一导电结构还可以有效降低上电极和导电层之间的接触电阻，从而能够有效改善器件性能。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 电容 结构 半导体器件 以及 制备 方法 | ||
【主权项】：
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