[发明专利]一种电容结构、半导体器件以及电容结构制备方法在审
| 申请号： | 202110381411.X | 申请日： | 2021-04-09 |
| 公开（公告）号： | CN113113539A | 公开（公告）日： | 2021-07-13 |
| 发明（设计）人： | 陈敏腾;何艳芬;钟定邦 | 申请（专利权）人： | 福建省晋华集成电路有限公司 |
| 主分类号： | H01L49/02 | 分类号： | H01L49/02 |
| 代理公司： | 北京聿宏知识产权代理有限公司 11372 | 代理人： | 吴大建;陈敏 |
| 地址： | 362200 福建省泉州*** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 电容 结构 半导体器件 以及 制备 方法 | ||
1.一种电容结构，其特征在于，包括：
下电极；
依次形成在所述下电极上的介电结构、上电极、第一导电结构以及导电层，所述第一导电结构包括第一金属硅化物，所述导电层中包括掺杂原子。
2.根据权利要求1所述的电容结构，其特征在于，所述第一金属硅化物包括硅化钛、硅化钨、硅化镍或硅化钴。
3.根据权利要求1所述的电容结构，其特征在于，所述掺杂原子包括硼原子。
4.根据权利要求1所述的电容结构，其特征在于，所述电容结构还包括：第二导电结构，所述第二导电结构位于所述介电结构和所述上电极之间。
5.根据权利要求4所述的电容结构，其特征在于，所述第二导电结构包括第二金属硅化物，其中所述第二金属硅化物与所述第一金属硅化物的组成不同。
6.根据权利要求5所述的电容结构，其特征在于，
所述第二金属硅化物包括硅化钛、硅化镍、硅化钨或硅化钴。
7.根据权利要求1至6中任意一项所述的电容结构，其特征在于，所述上电极包括氮化钛层。
8.根据权利要求1至6中任意一项所述的电容结构，其特征在于，所述介电结构包括依次堆叠设置的氧化锆层、氧化铝层和氧化锆层。
9.一种半导体器件，其特征在于，包括：
基底；以及，
如权利要求1至8中任意一项所述的电容结构，所述电容结构设置在所述基底上。
10.一种电容结构制备方法，其特征在于，包括：
沉积下电极；
在所述下电极上依次形成介电结构、上电极、第一导电结构以及导电层，所述第一导电结构包括金属硅化物，所述导电层中掺杂有掺杂原子。
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