[发明专利]一种电容结构、半导体器件以及电容结构制备方法

说明书

本发明公开了一种电容结构、半导体器件以及电容结构制备方法，该电容结构包括下电极，依次形成在下电极上的介电结构、上电极、第一导电结构以及掺杂有掺杂原子的导电层，通过在上电极和导电层之间设置第一导电结构，第一导电结构可以包括第一金属硅化物，第一金属硅化物具有较高的功函数，能够有效减少导电层中的掺杂原子向上电极中泄漏，另外，设置第一导电结构还可以有效降低上电极和导电层之间的接触电阻，从而能够有效改善器件性能。

技术领域

本发明涉及半导体技术领域，尤其涉及一种电容结构、半导体器件以及电容结构制备方法。

背景技术

随着半导体器件的集成度增加，在半导体器件的制备过程中开始关注于形成较小尺寸的电容结构。电容结构可以包括下电极、位于下电极上的介电结构、上电极和具有掺杂原子的导电层，然而电容结构的减小，会相应的使电容结构中导电层的厚度减小，从而使导电层中的掺杂原子容易泄漏到上电极，影响器件性能。因此，急需提供一种电容结构，以有效减少导电层中的掺杂原子向上电极中泄漏。

发明内容

本发明要解决的技术问题是：如何提供一种电容结构，以有效减少导电层中的掺杂原子向上电极中泄漏。

为解决上述技术问题，本发明提供了一种电容结构、半导体器件以及电容结构制备方法。

本发明的第一个方面，提供了一种电容结构，其包括：

下电极；

依次形成在所述下电极上的介电结构、上电极、第一导电结构以及导电层，所述第一导电结构包括第一金属硅化物，所述导电层中包括掺杂原子。

在一些实施例中，所述第一导电结构金属硅化物包括硅化钛、硅化钨、硅化镍或硅化钴。

在一些实施例中，所述掺杂原子包括硼原子。

在一些实施例中，所述电容结构还包括：第二导电结构，所述第二导电结构位于所述介电结构和所述上电极之间。

在一些实施例中，所述第二导电结构包括第二金属硅化物，其中所述第二金属硅化物与所述第一金属硅化物的组成不同。

在一些实施例中，所述第二金属硅化物包括硅化钛、硅化镍、硅化钨或硅化钴。

在一些实施例中，所述上电极包括氮化钛层。

在一些实施例中，所述介电结构包括依次堆叠设置的氧化锆层、氧化铝层和氧化锆层。

本发明的第二个方面，提供了一种半导体器件，其包括：

基底；以及，

如上所述的电容结构，所述电容结构设置在所述基底上。

本发明的第三个方面，提供了一种电容结构制备方法，其包括：

沉积下电极；

在所述下电极上依次形成介电结构、上电极、第一导电结构以及导电层，所述第一导电结构包括金属硅化物，所述导电层中掺杂有掺杂原子。

与现有技术相比，上述方案中的一个或多个实施例可以具有如下优点或有益效果：

应用本发明提供的电容结构，该电容结构包括下电极，依次形成在下电极上的介电结构、上电极、第一导电结构以及掺杂有掺杂原子的导电层，通过在上电极和导电层之间设置第一导电结构，第一导电结构可以包括第一金属硅化物，第一金属硅化物具有较高功函数，能够有效减少导电层中的掺杂原子向上电极中泄漏，另外，设置第一导电结构还可以有效降低上电极和导电层之间的接触电阻，从而能够有效改善器件性能。

附图说明

通过结合附图阅读下文示例性实施例的详细描述可更好地理解本公开的范围。其中所包括的附图是：