[发明专利]人工反铁磁多层膜结构及包括其的磁随机存储器在审
| 申请号： | 202110381200.6 | 申请日： | 2021-04-09 |
| 公开（公告）号： | CN115207208A | 公开（公告）日： | 2022-10-18 |
| 发明（设计）人： | 魏晋武;于国强;韩秀峰 | 申请（专利权）人： | 中国科学院物理研究所 |
| 主分类号： | H01L43/04 | 分类号： | H01L43/04;H01L43/06;H01L43/08 |
| 代理公司： | 北京市正见永申律师事务所 11497 | 代理人： | 黄小临;冯玉清 |
| 地址： | 100190 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明涉及人工反铁磁多层膜结构及包括其的磁随机存储器。根据一实施例，一种人工反铁磁多层膜结构可包括：面内场耦合层，包括由铁磁导电材料形成的第一铁磁层和第二铁磁层，以及位于所述第一铁磁层和第二铁磁层之间的第一间隔层，所述第一间隔层由非磁导电材料形成并且诱导所述第一铁磁层和第二铁磁层之间的反铁磁耦合；自由磁层，包括由铁磁导电材料形成的第三铁磁层和第四铁磁层，以及位于所述第三铁磁层和第四铁磁层之间的自旋霍尔效应层，所述自旋霍尔效应层由具有自旋霍尔效应的材料形成并且诱导所述第三铁磁层和第四铁磁层之间的反铁磁耦合；以及中间层，位于所述面内场耦合层与所述自由磁层之间，所述中间层由非磁材料形成。 | ||
| 搜索关键词： | 人工 反铁磁 多层 膜结构 包括 随机 存储器 | ||
【主权项】：
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