[发明专利]薄膜晶体管及制备方法、阵列基板及制备方法、显示装置有效
| 申请号： | 202110378794.5 | 申请日： | 2021-04-08 |
| 公开（公告）号： | CN113113475B | 公开（公告）日： | 2023-06-02 |
| 发明（设计）人： | 汪涛;高锦成;钱海蛟;陈亮;赵立星;刘泽旭;张瑞锋;毛金翔;张冠永;陆文涛;姜涛 | 申请（专利权）人： | 合肥京东方显示技术有限公司;京东方科技集团股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/08 | 分类号： | H01L29/08;H01L29/786;H01L27/12;H01L21/336;H01L21/77;G02F1/1362;G02F1/1368 |
| 代理公司： | 北京安信方达知识产权代理有限公司 11262 | 代理人： | 解婷婷;曲鹏 |
| 地址： | 230012 安徽省合肥市新*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | 本公开提供了一种薄膜晶体管及其制备方法、阵列基板及其制备方法及显示装置。所述薄膜晶体管包括依次设置在基底上的栅电极、栅绝缘层、有源层、掺杂层和源漏电极层，其中所述栅绝缘层、有源层、掺杂层和源漏电极层通过同一次图案化工艺形成，所述源漏电极层包括源电极和漏电极，在垂直基底方向上，所述薄膜晶体管包括源电极区、沟道区和漏电极区，所述掺杂层包括位于所述源电极区的源极掺杂层，以及位于所述漏电极区的漏极掺杂层，在所述源电极区，所述源极掺杂层在基底的正投影大于所述有源层在基底的正投影；在所述漏电极区，所述漏极掺杂层在基底的正投影大于所述有源层在基底的正投影。可以消除由于半导体拖尾造成的水波纹不良。 | ||
| 搜索关键词： | 薄膜晶体管 制备 方法 阵列 显示装置 | ||
【主权项】：
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