[发明专利]薄膜晶体管及制备方法、阵列基板及制备方法、显示装置

说明书

本公开提供了一种薄膜晶体管及其制备方法、阵列基板及其制备方法及显示装置。所述薄膜晶体管包括依次设置在基底上的栅电极、栅绝缘层、有源层、掺杂层和源漏电极层，其中所述栅绝缘层、有源层、掺杂层和源漏电极层通过同一次图案化工艺形成，所述源漏电极层包括源电极和漏电极，在垂直基底方向上，所述薄膜晶体管包括源电极区、沟道区和漏电极区，所述掺杂层包括位于所述源电极区的源极掺杂层，以及位于所述漏电极区的漏极掺杂层，在所述源电极区，所述源极掺杂层在基底的正投影大于所述有源层在基底的正投影；在所述漏电极区，所述漏极掺杂层在基底的正投影大于所述有源层在基底的正投影。可以消除由于半导体拖尾造成的水波纹不良。

技术领域

本发明涉及但不限于显示技术领域，具体涉及一种薄膜晶体管及制备方法、阵列基板及制备方法、显示装置。

背景技术

液晶显示器(Liquid Crystal Display，LCD)具有体积小、功耗低、无辐射等特点，已得到迅速发展。LCD的主体结构包括对盒(Cell)的阵列(Array)基板和彩膜(CF)基板，液晶(LC)分子填充在阵列基板和彩膜基板之间，通过阵列基板和彩膜基板形成驱动液晶偏转的电场，实现灰阶显示。

形成阵列基本上的图形，可以采用背沟道刻蚀型的光刻工艺。光刻工艺步骤的次数，既影响面板厂的产能，又影响着面板的制造成本，因此次数越少越好，在采用四次光刻工艺制备阵列基板上的图形时，源漏图案与硅岛图案可以采用光透过率调制的掩膜版技术，如半透膜掩膜版(Half-tone Mask，HTM)、单缝衍射掩膜版(Single-slit Mask，SSM)和灰色调掩膜版(Gray-tone Mask，GTM)，利用掩膜版上的半透膜或图形狭缝对紫外线的衍射原理来降低局部紫外线透过率，实现源漏图形和硅岛图形通过一次光刻工艺形成。

发明内容

以下是对本文详细描述的主题的概述。本概述并非是为了限制权利要求的保护范围。

本公开所要解决的技术问题是，提供一种薄膜晶体管及其制备方法、阵列基板及其制备方法、显示装置，以消除由于半导体拖尾造成的水波纹不良。

为了解决上述技术问题，本公开提供了一种薄膜晶体管，包括依次设置在基底上的栅电极、栅绝缘层、有源层、掺杂层和源漏电极层，其中所述栅绝缘层、有源层、掺杂层和源漏电极层通过同一次图案化工艺形成，所述源漏电极层包括源电极和漏电极，在垂直基底方向上，所述薄膜晶体管包括源电极区、沟道区和漏电极区，所述掺杂层包括位于所述源电极区的源极掺杂层，以及位于所述漏电极区的漏极掺杂层，在所述源电极区，所述源极掺杂层在基底的正投影大于所述有源层在基底的正投影；在所述漏电极区，所述漏极掺杂层在基底的正投影大于所述有源层在基底的正投影。。

为了解决上述技术问题，本公开提供了一种阵列基板，包括：设置在基底上的阵列结构层，所述阵列结构层包括由多条栅线和多条数据线交叉限定出的多个子像素，至少一个子像素内设置有薄膜晶体管，所述薄膜晶体管包括依次设置在基底上的栅电极、栅绝缘层、有源层、掺杂层和源漏电极层，其中所述栅绝缘层、有源层、掺杂层和源漏电极层通过同一次图案化工艺形成，所述源漏电极层包括源电极和漏电极，在垂直基底方向上，所述薄膜晶体管包括源电极区、沟道区和漏电极区，所述掺杂层包括位于所述源电极区的源极掺杂层以及位于所述漏电极区的漏极掺杂层，在所述源电极区，所述源极掺杂层在基底的正投影大于所述有源层在基底的正投影，在所述漏电极区，所述漏极掺杂层在基底的正投影大于所述有源层在基底的正投影；所述数据线与所述源漏电极同层设置，所述掺杂层在基底上的正投影大于所述数据线在基底上的正投影。

为了解决上述技术问题，本公开还提供了一种显示装置，包括上述阵列基板。